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Titlebook: Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs; Frank Schröder-Oeynhausen Textbook 1997 De

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发表于 2025-3-21 17:57:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
书目名称Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs
编辑Frank Schröder-Oeynhausen
视频video
图书封面Titlebook: Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs;  Frank Schröder-Oeynhausen Textbook 1997 De
描述Inhalt dieses Buches ist die detaillierte Charakterisierung der Oberfläche von GaAs-Halbleitern hinsichtlich oberflächennaher Verunreinigungen und passivierender Oxidschichten. Der Autor entwickelt ein Verfahren zum quantitativen Nachweis von metallischen Spurenelementen mit der Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS), das es möglich macht, Oberflächenbelegungen auf GaAs mit Konzentrationen kleiner 109 Atome/cm2 quantitativ nachzuweisen. Ein Vergleich passivierender Oxide hinsichtlich ihrer Komponenten, Schichtstruktur und Dicke liefert die Grundlagen für gezielte Änderungen des Herstellungsprozesses.
出版日期Textbook 1997
关键词Chemische Analyse; Elektronik; Galliumverbindungen; Halbleiter; Kristall; Massenspektrometrie; Nanotechnol
版次1
doihttps://doi.org/10.1007/978-3-322-95365-0
isbn_softcover978-3-8244-2091-9
isbn_ebook978-3-322-95365-0
copyrightDeutscher Universitäts-Verlag GmbH, Wiesbaden 1997
The information of publication is updating

书目名称Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs影响因子(影响力)




书目名称Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs影响因子(影响力)学科排名




书目名称Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs网络公开度




书目名称Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs网络公开度学科排名




书目名称Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs被引频次




书目名称Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs被引频次学科排名




书目名称Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs年度引用




书目名称Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs年度引用学科排名




书目名称Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs读者反馈




书目名称Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs读者反馈学科排名




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发表于 2025-3-21 21:49:24 | 显示全部楼层
Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs978-3-322-95365-0
发表于 2025-3-22 01:07:17 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 07:44:31 | 显示全部楼层
Frank Schröder-Oeynhausentage is that the R matrix, written as an expansion in terms of these functions at each continuum energy, converges slowly with the number of functions retained in the expansion. To speed this convergence different corrections can be added to the R matrix (7).
发表于 2025-3-22 12:45:19 | 显示全部楼层
Frank Schröder-Oeynhausenethod recently developed by Jain and Thompson (JT).. It has proved successful in providing a detailed interpretation of electron scattering results for methane, water, and ammonia and is discussed elsewhere in this volume. The second model is the continuum multiple scattering Χα (MSXα) method origin
发表于 2025-3-22 14:17:10 | 显示全部楼层
Frank Schröder-Oeynhausenethod recently developed by Jain and Thompson (JT).. It has proved successful in providing a detailed interpretation of electron scattering results for methane, water, and ammonia and is discussed elsewhere in this volume. The second model is the continuum multiple scattering Χα (MSXα) method origin
发表于 2025-3-22 18:55:04 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-22 23:51:33 | 显示全部楼层
发表于 2025-3-23 04:10:51 | 显示全部楼层
978-3-8244-2091-9Deutscher Universitäts-Verlag GmbH, Wiesbaden 1997
发表于 2025-3-23 07:52:51 | 显示全部楼层
Quantitativer Nachweis von Metallverunreinigungen auf GaAs,esonderem Maße den Gehalt an metallischen Verunreinigungen. Der Scheibenhersteller ist daher an einer detaillierten und quantitativen Analyse von Metallverunreinigungen auf der GaAs-Oberfläche interessiert, die er als Qualitäts-Zertifikat einsetzen kann.
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