Titlebook: Integrationstechniken für Feldeffekttransistoren mit halbleitenden Nanopartikeln; Einzel- und Multipar Karsten Wolff Book 2011 Vieweg+Teubn

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Karsten Wolff design process of green products. The structure of the traditional process of eco-design now depends on the personal skills of the designer and his ability to integrate in the traditional design process the requirements of eco-sustainability. The objective of this study was to address guidance on i

盟军

Karsten Wolffacity-building initiative through the Youth Employment and Empowerment Programme (YEEP) in a post-conflict environment by the Government of Sierra Leone in collaboration with the UNDP SL. The project focuses on strengthening the capacity of the National Youth Commission (NAYCOM) and the Ministry of

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Einleitung,. Insbesondere Nanopartikel und die damit verbundenen kolloidalen Dispersionen wurden häufig in ihren Erscheinungen beobachtet und ihre Auswirkungen genutzt. Als Beispiele hierfür seien kolloidale Flusssedimente im Babylon des 13. Jahrhunderts vor Christus, rotgefärbte Kirchenfenster durch Plasmonen

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Transistoraufbau und -funktionsweise,apitel zunächst die verschiedenen Bauformen der Transistoren erläutert und wesentliche Unterschiede zu den konventionellen Bauelementen hervorgehoben. Des Weiteren wird die physikalische Funktionsweise der Transistoren dargestellt und eine Herleitung der für die Nanopartikeltransistoren gültigen Tra

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Feldeffekttransistoren mit Silizium-Nanopartikeln, die Integration und Charakterisierung von Feldeffekttransistoren mit Silizium- Nanopartikeln vorgestellt. Aus der Literatur sind bislang nur wenige Berichte von Dickfilm-Transistoren mit Si-Nanopartikeln bekannt [BH06,HZGB09], nicht aber von Dünnfilm-Baulementen. Daher wird zunächst ein Dünnfilm-Ba

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Feldeffekttransistoren mit Zinkoxid-Nanopartikeln,s Zinkoxid als homogenes oxidisches Material nicht zur Ausbildung einer isolierenden Hülle neigt, verringert sich die Problematik der elektrischen Kontaktierung bezüglich der Nanopartikelhülle und der Konzentration umladbarer Haftstellen, die durch den oberflächlichen Isolator und seine Grenzschicht