Titlebook: Handbuch Offene Kinder- und Jugendarbeit; Ulrich Deinet,Benedikt Sturzenhecker,Moritz Schwer Book 2021Latest edition Springer Fachmedien W

误传

没血色

Personalmanagement und Personalentwicklung in der OKJA vor große Herausforderungen. Vielfältige Qualifikationen, älter werdende Fachkräfte und sehr unterschiedliche, teilweise prekäre Beschäftigungssituationen kennzeichnen das Arbeitsfeld, welches zunehmend von einem Fachkräftemangel betroffen ist. Eine frühzeitig und systematisch angelegte Strategie d

Limerick

Freiwilliges und ehrenamtliches Engagement in der Offenen Kinder- und Jugendarbeit nicht, weil es kaum existiert, sondern, weil es öffentlich nicht als solches wahrgenommen wird. Für diese geringe Aufmerksamkeit gibt es Gründe, die in den Besonderheiten des Arbeitsfeldes zu finden sind. Empirisch zeigt sich, dass es in der Offenen Kinder- und Jugendarbeit viele Formen des Engagem

圆锥

抵制

Belastungen, Unterstützung und Supervision in der Offenen Kinder- und Jugendarbeitauer 1977), sondern auch Sozialmanagerinnen und -manager. Geblieben ist zum einen, dass die Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter mit ihrer Beziehungsarbeit allem voran ihr eigenes Werkzeug sind, und geblieben sind zum anderen die daraus resultierenden besonderen psychischen Belastungen. Der folgende Tex

浮雕

Muscularis

Intersektionalität und Inklusion als Perspektiven auf die Adressat*innen der Offenen Kinder und Jugeogenität der Kinder und Jugendlichen gerecht zu werden, Ausschlüsse zu mindern und Partizipation für gleichberechtigte Verschiedene zu ermöglichen. In dem Beitrag werden zwei bedeutsame Konzepte vorgestellt, durch die versucht wird, der Fixierung auf nur eine Differenzlinie (z. B. nur Gender oder nu

鄙视读作

myriad

nd In.0. thin film gas sensors toward CO, NO. and CH. are reported. The sample were prepared with DC sputtering in Ar atmospheres by the R.G.T.O. technique and with reactive magnetron sputtering in Ar and O. atmosphere respectively. Results are promising for the development of a sensor working at ro

resistant

Patrick Kirschperformance using an Al.O. high-permittivity (high-κ) gate dielectric, deposited by atomic layer deposition (ALD). These MOSFET devices exhibit extremely low gate-leakage current, high transconductance, high dielectric breakdown strength, a high short-circuit current-gain cut-off frequency (..) and