Titlebook: Einführung in die Halbleitertechnologie; Waldemar Münch Textbook 1993 B. G. Teubner Stuttgart 1993 Entwicklung.Fortschritt.Handel.Industri

Customary

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Mechanics

Range-Of-Motion

Approaches of the Concept of Style,rscheidet Homoepitaxie und Heteroepitaxie. Im ersteren Falle sind die Werkstoffe der Epitaxieschicht und des Substrates — von der Dotierung abgesehen — identisch; im zweiten Falle besteht die Epitaxieschicht aus einem Material, das von demjenigen des Substrates verschieden ist.

Malaise

包裹

Introduction to Learning from Data,en. In den folgenden Abschnitten soll die Fertigung der wichtigsten Halbleiterbauelemente erläutert werden. Eine Vollständigkeit hinsichtlich der Bauelemente und der technologischen Verfahren kann dabei nicht angestrebt werden.

大都市

难听的声音

Approaches of the Concept of Style,rscheidet Homoepitaxie und Heteroepitaxie. Im ersteren Falle sind die Werkstoffe der Epitaxieschicht und des Substrates — von der Dotierung abgesehen — identisch; im zweiten Falle besteht die Epitaxieschicht aus einem Material, das von demjenigen des Substrates verschieden ist.

与野兽博斗者

Awareness of the History of Art,e homogene Dotierung angestrebt wird, erfordern die Funktionsprinzipien der meisten Halbleiterbauelemente eine inhomogene Dotierung, vorwiegend in der Form von pn-Übergängen. Dementsprechend werden in den nachfolgenden Abschnitten hauptsächlich Verfahren behandelt, die eine inhomogene Verteilung der

爱好

handle

Benyamin Ghojogh,Mark Crowley,Ali Ghodsiellung der Einzelkomponenten erfolgt mittels der in Kapitel 8 geschilderten Methoden. In vielen Fällen — insbesondere bei Schaltungen auf der Basis von Bipolartransistoren — sind zusätzliche Prozeßschritte erforderlich, welche die elektrische Isolation der Bauelemente innerhalb des Halbleiterchips s