deferential
发表于 2025-3-21 16:46:42
书目名称Verstärkertechnik影响因子(影响力)<br> http://figure.impactfactor.cn/if/?ISSN=BK0982204<br><br> <br><br>书目名称Verstärkertechnik影响因子(影响力)学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/ifr/?ISSN=BK0982204<br><br> <br><br>书目名称Verstärkertechnik网络公开度<br> http://figure.impactfactor.cn/at/?ISSN=BK0982204<br><br> <br><br>书目名称Verstärkertechnik网络公开度学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/atr/?ISSN=BK0982204<br><br> <br><br>书目名称Verstärkertechnik被引频次<br> http://figure.impactfactor.cn/tc/?ISSN=BK0982204<br><br> <br><br>书目名称Verstärkertechnik被引频次学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/tcr/?ISSN=BK0982204<br><br> <br><br>书目名称Verstärkertechnik年度引用<br> http://figure.impactfactor.cn/ii/?ISSN=BK0982204<br><br> <br><br>书目名称Verstärkertechnik年度引用学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/iir/?ISSN=BK0982204<br><br> <br><br>书目名称Verstärkertechnik读者反馈<br> http://figure.impactfactor.cn/5y/?ISSN=BK0982204<br><br> <br><br>书目名称Verstärkertechnik读者反馈学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/5yr/?ISSN=BK0982204<br><br> <br><br>
nurture
发表于 2025-3-21 21:26:45
Rauschen des Bipolartransistors,llung der Rauschzahl, die zum selben Ergebnis führt, ist das Verhältnis von Eingangs-Signalrauschabstand zu Ausgangs-Signalrauschabstand.Anstatt die Rauschleistung der Quelle mit einem Faktor zu versehen, kann man sie als thermisch rauschenden Widerstand mit erhöhter Temperatur ansehen.mit T. = Raumtemperatur (290 K).
形状
发表于 2025-3-22 02:35:16
http://reply.papertrans.cn/99/9823/982204/982204_3.png
大猩猩
发表于 2025-3-22 07:56:37
Rauschen des Bipolartransistors,h einen rauschfreien Vierpol ersetzt werden kann (bei gleicher Rauschausgangsleistung). Die Ausgangsrauschleistung eines Vierpols ist gegeben durch.mit.damit wird.wobei F. der Zusatzrauschfaktor ist. Die Rauschzahl wird auch im logarithmischen Maß angegeben, sie heißt dann ..Eine etwas andere Darste
一美元
发表于 2025-3-22 09:23:16
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沉积物
发表于 2025-3-22 15:30:32
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惰性女人
发表于 2025-3-22 20:21:14
Lateraler PNP-, Substrat-PNP-Transistor,sind meist NPN-Transistoren, wegen der höheren Beweglichkeit ihrer Ladungsträger und der damit verbundenen höheren Grenzfrequenz und Stromverstärkung. PNP-Transistoren lassen sich in demselben Prozeß nicht so einfach herstellen. So fanden sich in den ersten analogen integrierten Schaltungen überhaup
Hiatus
发表于 2025-3-22 21:27:18
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培养
发表于 2025-3-23 03:20:13
HF-Verhalten von Feldeffekttransistoren,Laufzeit der Ladungsträger ist abhängig von ihrer Beweglichkeit. Daher sind N-Kanal-FETs im allgemeinen schneller als P-Kanal-FETs, da Elektronen im Silizium eine etwa 3 mal höhere Beweglichkeit besitzen als Löcher. Die Beweglichkeit der Elektronen beträgt etwa . und die der Löcher ca.
可能性
发表于 2025-3-23 08:34:06
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