Pantry
发表于 2025-3-25 03:30:34
HF-Verhalten von Feldeffekttransistoren,Laufzeit der Ladungsträger ist abhängig von ihrer Beweglichkeit. Daher sind N-Kanal-FETs im allgemeinen schneller als P-Kanal-FETs, da Elektronen im Silizium eine etwa 3 mal höhere Beweglichkeit besitzen als Löcher. Die Beweglichkeit der Elektronen beträgt etwa . und die der Löcher ca.
ARCH
发表于 2025-3-25 08:03:16
,Feldeffekttransistor als Leistungsverstärker,e Ausnutzung der Chipfläche und die erreichbaren Daten angeht. Die Entwicklung der Power-FETs reicht daher vom a) konventionellen MOSFET über b) den lateralen, doppelt diffundierten MOSFET und c) den VMOS bis hin zu d) dem SIPMOS bzw. TMOS Transistor.
Engaged
发表于 2025-3-25 12:17:29
http://reply.papertrans.cn/99/9823/982204/982204_23.png
avarice
发表于 2025-3-25 18:22:48
Komparatoren,ngsspannung anliegt. Dabei ist der Verstärker übersteuert und folgt bei einem Wechsel der Eingangsspannung nur mit großer Zeitverzögerung (Slew-Rate-Problem). Abhilfe schafft der Einsatz eines speziell für Schalteranwendungen konzipierten Operationsverstärkers, des „Komparators“.
白杨
发表于 2025-3-25 21:02:43
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雪上轻舟飞过
发表于 2025-3-26 02:03:40
http://reply.papertrans.cn/99/9823/982204/982204_26.png
白杨
发表于 2025-3-26 06:34:48
,Einführung,Am einfachsten definiert man ihn als Black-Box. Wenn nun die Leistung, die man dem Ausgang entnehmen kann, größer ist als die Leistung, die man dem Eingang zuführen muß, spricht man von einem ..
IDEAS
发表于 2025-3-26 08:53:23
Bipolartransistoren,Man unterscheidet zwei Arten von Bipolartransistoren entsprechend der Schichtenfolge ihres Dotierungsprofils, nämlich NPN- und PNP-Transistoren. Der Übersichtlichkeit wegen wird die Wirkungsweise nur an Hand des NPN-Transistors erläutert. Für den PNP-Typ gilt das entsprechende mit den für diesen Transistor angepaßten Größen und Vorzeichen.
ATRIA
发表于 2025-3-26 16:20:33
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物种起源
发表于 2025-3-26 20:04:46
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