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发表于 2025-3-26 21:22:23
Arvind Bisht,Yogendra Pratap Pundir,Pankaj Kumar Pal: einer der Güterstände wurde zum ordentlichen gesetzlichen Güterstand erhoben und im Gesetz ausführlich geregelt; er sollte automatisch in jeder Ehe eintreten, wenn nicht besondere gesetzliche oder vertragliche Bestimmungen ihn ausschlossen. Daneben regelt das Gesetz aber noch einige andere Güterst
自传
发表于 2025-3-27 04:52:02
http://reply.papertrans.cn/99/9801/980087/980087_32.png
mendacity
发表于 2025-3-27 08:27:47
Puneet Singh,Saroj Mondal,Krishnan S. Rengarajanuweilen nur in einem einzigen Satz behandelt, zugunsten der wirklich bedeutsamen Probleme. Immer aber ist zu jedem Fragenkreis die weiterführende Literatur, eingehender als im "Allgemeinen Teil des Bürgerlichen Rechts", zitiert. Ebensowenig fehlt der häufige Hinweis auf wichtige höchstrichterliche E
Genetics
发表于 2025-3-27 13:32:19
http://reply.papertrans.cn/99/9801/980087/980087_34.png
秘传
发表于 2025-3-27 14:29:40
Khushwant Sehra,Jeffin Shibu,Meena Mishra,Mridula Gupta,D. S. Rawal,Manoj Saxena
monogamy
发表于 2025-3-27 20:56:30
Chanchal,Ajay Kumar Visvkarma,Hardhyan Sheoran,Amit Malik,Robert Laishram,Dipendra Singh Rawal,Manoj
GROG
发表于 2025-3-28 01:09:55
http://reply.papertrans.cn/99/9801/980087/980087_37.png
字的误用
发表于 2025-3-28 05:04:43
Anuj Srivastava,Nishant Kumar,Nihar Ranjan Mohapatra,Hari Shankar Gupta
harangue
发表于 2025-3-28 08:20:59
High Resolution Temperature Sensor Signal Processing ASIC for Cryo-Cooler ElectronicsIC front-end design to achieve high-temperature resolution for precise control of cryo-cooler. Designed temperature processing ASIC achieves .3 mK temperature resolution and consumes very low power around < 4 mW. The design has been carried out using 1.8 V SCL CMOS 180 nm technology.
chronicle
发表于 2025-3-28 11:32:13
FEM Modeling of Thermal Aspect of Dielectric Inserted Under Source & Drain of 5 nm Nanosheetce and drain on lattice temperature was investigated using electrothermal simulation of single and double stack nanosheet transistors. The effects of dielectric insertion thickness under the source and drain on the substrate, as well as SNT channel temperature analyzed and its variation with width and extension length of SNT are explained.