中间时期
发表于 2025-3-21 17:29:18
书目名称Silizium-Halbleitertechnologie影响因子(影响力)<br> http://figure.impactfactor.cn/if/?ISSN=BK0867367<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie影响因子(影响力)学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/ifr/?ISSN=BK0867367<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie网络公开度<br> http://figure.impactfactor.cn/at/?ISSN=BK0867367<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie网络公开度学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/atr/?ISSN=BK0867367<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie被引频次<br> http://figure.impactfactor.cn/tc/?ISSN=BK0867367<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie被引频次学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/tcr/?ISSN=BK0867367<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie年度引用<br> http://figure.impactfactor.cn/ii/?ISSN=BK0867367<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie年度引用学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/iir/?ISSN=BK0867367<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie读者反馈<br> http://figure.impactfactor.cn/5y/?ISSN=BK0867367<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie读者反馈学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/5yr/?ISSN=BK0867367<br><br> <br><br>
agenda
发表于 2025-3-21 21:13:42
Lithografie,fahren hinsichtlich ihrer Auflösung und Defektdichte vergleichend diskutiert und alternative Techniken gegenübergestellt. Linienweiten- und Justiergenauigkeitskontrolle sowie das Ablösen des Fotolackes runden das Kapitel ab.
幼儿
发表于 2025-3-22 03:26:08
,Ätztechnik,h, wobei zwischen reaktivem Ionenätzen, Plasmaätzen und Ionenstrahlätzen unterschieden wird. Ätzprozesse für typische Materialien werden beispielhaft vorgestellt. Dabei sind Verfahren zur Endpunktdetektion für eine sichere Prozessführung unentbehrlich.
宪法没有
发表于 2025-3-22 06:01:57
Dotiertechniken,n. Die Anlagen zur Dotierung werden vorgestellt und speziell bei der Ionenimplantation im Detail besprochen. Eine Analyse parasitärer Effekte auf die resultierende Dotierstoffverteilung rundet das Kapitel ab.
灯泡
发表于 2025-3-22 08:51:19
Depositionsverfahren,akuumabscheidung mit Plasmaanregung wächst die Bedeutung der Atomlagendeposition. Als physikalische Verfahren werden die Kathodenstrahlzerstäubung, das Aufdampfen und die Molekularstrahlepitaxie vorgestellt.
极为愤怒
发表于 2025-3-22 13:37:09
Metallisierung und Kontakte,ührung von Kontaktschichten optimieren lässt. Es folgt die Vorstellung von Oberflächenplanarisierungen für die Mehrlagenverdrahtung, zudem werden die Zuverlässigkeit von Aluminium als Leiterbahn und die Kupfermetallisierung behandelt.
legitimate
发表于 2025-3-22 20:29:22
http://reply.papertrans.cn/87/8674/867367/867367_7.png
LIMN
发表于 2025-3-23 00:32:50
Transistoren mit Nanometer-Abmessungen,unterliegen. Die Schwellenspannung muss folglich durch die Austrittsarbeit der Gate-Elektrode festgelegt werden. Alternative Bauformen wie der FINFET und der Gate-All-Around Transistor mit lateralem und vertikalem Kanal werden diskutiert.
易于交谈
发表于 2025-3-23 04:24:40
http://reply.papertrans.cn/87/8674/867367/867367_9.png
下边深陷
发表于 2025-3-23 06:56:44
978-3-658-42377-3Der/die Herausgeber bzw. der/die Autor(en), exklusiv lizenziert an Springer Fachmedien Wiesbaden Gmb