T-cell
发表于 2025-3-21 19:31:27
书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren影响因子(影响力)<br> http://figure.impactfactor.cn/if/?ISSN=BK0380200<br><br> <br><br>书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren影响因子(影响力)学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/ifr/?ISSN=BK0380200<br><br> <br><br>书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren网络公开度<br> http://figure.impactfactor.cn/at/?ISSN=BK0380200<br><br> <br><br>书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren网络公开度学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/atr/?ISSN=BK0380200<br><br> <br><br>书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren被引频次<br> http://figure.impactfactor.cn/tc/?ISSN=BK0380200<br><br> <br><br>书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren被引频次学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/tcr/?ISSN=BK0380200<br><br> <br><br>书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren年度引用<br> http://figure.impactfactor.cn/ii/?ISSN=BK0380200<br><br> <br><br>书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren年度引用学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/iir/?ISSN=BK0380200<br><br> <br><br>书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren读者反馈<br> http://figure.impactfactor.cn/5y/?ISSN=BK0380200<br><br> <br><br>书目名称GaAs-Feldeffekttransistoren读者反馈学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/5yr/?ISSN=BK0380200<br><br> <br><br>
准则
发表于 2025-3-21 21:10:03
http://reply.papertrans.cn/39/3802/380200/380200_2.png
Cardioversion
发表于 2025-3-22 02:50:02
http://reply.papertrans.cn/39/3802/380200/380200_3.png
金哥占卜者
发表于 2025-3-22 04:58:33
,Ternäre und quaternäre Halbleiter für Hochfrequenz-FET,en. Parasitäre Größen, die ihren Ursprung im Design und in nicht optimalen Herstellungs-bedingungen haben, verfälschen die erzielbaren Ergebnisse. Letztlich sind es aber die Transporteigenschaften und die Bandstruktur des Halbleitermaterials, welche die bestimmenden Faktoren darstellen.
高兴一回
发表于 2025-3-22 09:06:22
Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs,inen kurzen Überblick über den bis jetzt erreichten Stand (1983) bei analogen und digitalen Schaltungen geben. Ausführliche Informationen über GaAs-IS sowie über neueste Entwicklungen (optoelektronische integrierte Schaltungen, Schaltungen auf anderen III–V-Halbleitern als GaAs oder auf Schichtfolge
inscribe
发表于 2025-3-22 15:54:34
Grundlagen,ngsträger eines Typs (Elektronen oder Löcher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen nehmen sowohl Elektronen als auch Löcher am Stromtransport teil. Band 6 dieser Buchreihe behandelt diese Transistoren.
inscribe
发表于 2025-3-22 19:25:07
GaAs-MESFET,zwischen Flächenladung Q und Potential V leicht ableiten. Diese Beziehung Q(V) hängt, wie in Kap.3 erläutert, vom Steuermechanismus der Gateelektrode ab. Wenn sich die Flächenladung im Kanal nicht abrupt ändert, läßt sich Q(V) angeben und das zweidimensionale Problem auf ein eindimensionales zurückführen.
凝结剂
发表于 2025-3-22 22:46:48
,A Pressure-group under Pressure (1906–14),ihren Eigenschaften. Obwohl mittlerweile feststeht, daß der GaAs-MESFET durchaus die Zuverlässigkeit von Bauelementen auf Silizium erreicht (vgl. Abschn.6.3), sind einige der im folgenden erwähnten Probleme noch nicht gelöst.
迎合
发表于 2025-3-23 01:32:15
http://reply.papertrans.cn/39/3802/380200/380200_9.png
无关紧要
发表于 2025-3-23 09:23:50
,Dissension and Decline (1950–60),ngsträger eines Typs (Elektronen oder Löcher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen nehmen sowohl Elektronen als auch Löcher am Stromtransport teil. Band 6 dieser Buchreihe behandelt diese Transistoren.