是突袭
发表于 2025-3-23 09:56:56
,A Pressure-group under Pressure (1906–14),zwischen Flächenladung Q und Potential V leicht ableiten. Diese Beziehung Q(V) hängt, wie in Kap.3 erläutert, vom Steuermechanismus der Gateelektrode ab. Wenn sich die Flächenladung im Kanal nicht abrupt ändert, läßt sich Q(V) angeben und das zweidimensionale Problem auf ein eindimensionales zurückführen.
壁画
发表于 2025-3-23 17:27:32
https://doi.org/10.1007/978-3-662-07363-6Bauelemente; Feldeffekt; Feldeffekttransistoren; Halbleiter; Halbleiter-Elektronik; Rauschen; Schaltung; Tr
paradigm
发表于 2025-3-23 21:58:02
http://reply.papertrans.cn/39/3802/380200/380200_13.png
小丑
发表于 2025-3-24 01:10:04
A Short History of the Labour PartyIn diesem Kapitel werden die Kennlinien für n-Kanal-FET gemäß den Grundvorstellungen des Abschn.2.1 abgeleitet. Dieselben Formeln gelten für p-Kanal-FET, wenn man die entsprechenden Materialparameter (Beweglichkeit, Ladungsträgerkonzentration, Sättigungsgeschwindigkeit) einsetzt.
HAUNT
发表于 2025-3-24 03:25:17
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没有贫穷
发表于 2025-3-24 10:16:09
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BLAND
发表于 2025-3-24 10:45:25
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杀虫剂
发表于 2025-3-24 15:19:56
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FLAX
发表于 2025-3-24 22:22:12
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dilute
发表于 2025-3-25 00:13:04
,Revival and Decline: 1923–1926,inen kurzen Überblick über den bis jetzt erreichten Stand (1983) bei analogen und digitalen Schaltungen geben. Ausführliche Informationen über GaAs-IS sowie über neueste Entwicklungen (optoelektronische integrierte Schaltungen, Schaltungen auf anderen III–V-Halbleitern als GaAs oder auf Schichtfolgen) sind z.B. in Tagungsbänden zu finden: