宿醉
发表于 2025-3-25 06:14:59
Theorie des Ladungstransports,tsache aus, daß ein FET mit n-leitendem Kanal eine lineare I.-V.-Kennlinie im Bereich kleiner Drainspannung besitzt, so gilt für den Kanalwiderstand.Darin ist L die Gatelänge, W die Gatebreite, Q die für den Stromtransport zur Verfügung stehende Flächenladung, μ die Elektronenbeweglichkeit.
哄骗
发表于 2025-3-25 10:51:29
http://reply.papertrans.cn/39/3802/380199/380199_22.png
环形
发表于 2025-3-25 13:04:55
0172-5882Eigenschaften dieser neuen Bauelemente einarbeiten wollen. Auf Grund der hohen Bedeutung dieser Technik wurde ihr ein eigener Band in der bekannten und bereits an dieser Stelle diskutierten Reihe Halbleiter-Elektronik gewidmet. Vorausgesetzt wird die Kenntnis der Grundlagen der Halbleiter-Elektroni
悲观
发表于 2025-3-25 19:19:28
Benedict Atkinson,Brian Fitzgeraldgsträger eines Typs (Elektronen oder Löcher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen nehmen sowohl Elektronen als auch Löcher am Stromtransport teil. Band 6 dieser Buchreihe behandelt diese Transistoren.
抗体
发表于 2025-3-25 22:29:34
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Consequence
发表于 2025-3-26 03:42:35
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松驰
发表于 2025-3-26 06:47:24
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FLAGR
发表于 2025-3-26 08:41:48
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idiopathic
发表于 2025-3-26 14:21:19
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旁观者
发表于 2025-3-26 19:20:14
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