chalice
发表于 2025-3-23 12:14:48
http://reply.papertrans.cn/39/3802/380199/380199_11.png
Tincture
发表于 2025-3-23 14:02:41
http://reply.papertrans.cn/39/3802/380199/380199_12.png
fulcrum
发表于 2025-3-23 20:49:27
,The Zenith of Nationalism 1914–1945,r den eindimensionalen Fall läßt sich diese Differentialgleichung für V (x,t) aus der Kontinuitätsgleichung, der Transportgleichung und einer Beziehung zwischen Flächenladung Q und Potential V leicht ableiten. Diese Beziehung Q (V) hängt, wie in Kap.3 erläutert, vom Steuermechanismus der Gateelektro
驳船
发表于 2025-3-24 01:45:47
http://reply.papertrans.cn/39/3802/380199/380199_14.png
Asparagus
发表于 2025-3-24 03:35:14
http://reply.papertrans.cn/39/3802/380199/380199_15.png
正常
发表于 2025-3-24 08:08:07
http://reply.papertrans.cn/39/3802/380199/380199_16.png
innovation
发表于 2025-3-24 13:57:27
https://doi.org/10.1007/978-3-642-83576-6Bauelemente; Digitale Schaltungen; Entwicklung; Feldeffekt; Feldeffekttransistoren; Halbleiter; Kennlinien
Adulate
发表于 2025-3-24 18:03:15
http://reply.papertrans.cn/39/3802/380199/380199_18.png
EVICT
发表于 2025-3-24 22:55:27
http://reply.papertrans.cn/39/3802/380199/380199_19.png
blackout
发表于 2025-3-25 00:54:57
Grundlagen,gsträger eines Typs (Elektronen oder Löcher) beteiligt sind, spricht man hier auch von unipolaren Transistoren. In bipolaren Transistoren dagegen nehmen sowohl Elektronen als auch Löcher am Stromtransport teil. Band 6 dieser Buchreihe behandelt diese Transistoren.