minuscule 发表于 2025-3-21 16:51:14

书目名称Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker影响因子(影响力)<br>        http://impactfactor.cn/if/?ISSN=BK0943695<br><br>        <br><br>书目名称Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker影响因子(影响力)学科排名<br>        http://impactfactor.cn/ifr/?ISSN=BK0943695<br><br>        <br><br>书目名称Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker网络公开度<br>        http://impactfactor.cn/at/?ISSN=BK0943695<br><br>        <br><br>书目名称Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker网络公开度学科排名<br>        http://impactfactor.cn/atr/?ISSN=BK0943695<br><br>        <br><br>书目名称Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker被引频次<br>        http://impactfactor.cn/tc/?ISSN=BK0943695<br><br>        <br><br>书目名称Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker被引频次学科排名<br>        http://impactfactor.cn/tcr/?ISSN=BK0943695<br><br>        <br><br>书目名称Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker年度引用<br>        http://impactfactor.cn/ii/?ISSN=BK0943695<br><br>        <br><br>书目名称Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker年度引用学科排名<br>        http://impactfactor.cn/iir/?ISSN=BK0943695<br><br>        <br><br>书目名称Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker读者反馈<br>        http://impactfactor.cn/5y/?ISSN=BK0943695<br><br>        <br><br>书目名称Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker读者反馈学科排名<br>        http://impactfactor.cn/5yr/?ISSN=BK0943695<br><br>        <br><br>

covert 发表于 2025-3-21 21:23:53

,Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker, mit GHz-Feldeffekt-Transistoren realisieren lassen. Wie die Ergebnisse zeigen, läßt sich das Prinzip des vollintegrierten Verstärkers, bei dem sowohld die aktiven Elemente als auch die Verzögerugsleitungen auf Halbleitermaterial aufgebaut sind, verwirklichen. Wegen der Schwierigkeit, an vorbestimmt

用树皮 发表于 2025-3-22 04:14:59

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BINGE 发表于 2025-3-22 05:25:13

,GaAs-MeSFET mit Streifenleitungsanschlüssen (11),rain durch die Raumladungszone eines Schottkykontaktes gesteuert (12). In Abb. 2 ist der schematische Aufbau zu sehen. Der Strom fließt vom Sourcekontakt durch die dünne n-leitende Epitaxieschicht zum Drainkontakt.

fringe 发表于 2025-3-22 09:27:45

http://reply.papertrans.cn/95/9437/943695/943695_5.png

编辑才信任 发表于 2025-3-22 15:59:09

,Rechnergestütztes Entwurfsverfahren (47),heit und Ein- und Ausgangskapazitäten. Hierbei werden die konzentrierten Filterketten mit der Wellengrößentheorie behandelt, und deren Anpassung (Grund-Halbglieder, ebnende Halbglieder und überbrückte T-Glieder) wird untersucht (2), (62) bis (70). Es wird versucht, den bei höheren Frequenzen starken

没有贫穷 发表于 2025-3-22 18:43:25

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Galactogogue 发表于 2025-3-22 21:24:48

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安慰 发表于 2025-3-23 04:28:12

,Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker,d die aktiven Elemente als auch die Verzögerugsleitungen auf Halbleitermaterial aufgebaut sind, verwirklichen. Wegen der Schwierigkeit, an vorbestimmten Orten des Substrates aktive Elemente mit vorgegebenen Eigenschaften erzeugen zu müssen, emfiehlt sich zur Zeit noch ein hybrider Aufbau.

未成熟 发表于 2025-3-23 08:18:04

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查看完整版本: Titlebook: Untersuchungen über integrierte Kettenverstärker; Heinz Beneking,Jörg Naumann,Heinz Storck Book 1973 Springer Fachmedien Wiesbaden 1973 En