奇思怪想
发表于 2025-3-25 03:32:27
Eine Theoriegeschichte der Soziologie von Lebensstilen,efinitorischen Rahmens ist es deshalb notwendig, die Anfänge und Verwendungszusammenhänge nachzuzeichnen, in denen dieser Begriff seit der Jahrhundertwende in der Soziologie benutzt wurde. Dabei wird zunächst auf drei „klassische” Lebensstilkonzepte eingegangen: Thorsten Veblen (1989) interessierte
LARK
发表于 2025-3-25 09:26:18
,Soziale Ungleichheit und Lebensstile — Versuch einer theoretischen Integration, Bourdieu spezifische, ungleichheitsrelevante Gruppen die Träger von Lebensstilen waren (die Mußeklasse bei Veblen, die Stände bei Weber und bei Bourdieu die nach Kapitalart und Kapitalvolumen differenzierten Klassen), befassen sich Simmel und Schulze stärker mit Modernisierungsund Individualisierun
Sinus-Node
发表于 2025-3-25 12:57:58
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大酒杯
发表于 2025-3-25 19:15:42
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absorbed
发表于 2025-3-25 21:38:06
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COM
发表于 2025-3-26 03:50:46
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Urgency
发表于 2025-3-26 06:17:07
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Maximizer
发表于 2025-3-26 10:48:27
Diskussion,m Kern lassen sich hierbei zwei Argumentationslinien unterscheiden: Vertreter einer „klassischen“ Position (vgl. Mayer & Blossfeld 1990; Geissler 1990, 1992; Strasser 1987) argumentieren dahingehend, das Konzept sozialer Schichten bzw. Klassen beschreibe Ungleichheit nach wie vor in angemessener Wei
类人猿
发表于 2025-3-26 14:14:27
ture. Therefore, most GaN-based layers are grown heteroepitaxially on sapphire or SiC substrates. In addition, much effort is devoted to the growth on silicon. For all heterosubstrates the large lattice mismatch leads to a high dislocation density of the order of 1010 cm-2 near the interface. In add
避开
发表于 2025-3-26 19:18:25
Werner Georgture. Therefore, most GaN-based layers are grown heteroepitaxially on sapphire or SiC substrates. In addition, much effort is devoted to the growth on silicon. For all heterosubstrates the large lattice mismatch leads to a high dislocation density of the order of 1010 cm-2 near the interface. In add