ABS
发表于 2025-3-21 16:07:56
书目名称Silizium-Halbleitertechnologie影响因子(影响力)<br> http://figure.impactfactor.cn/if/?ISSN=BK0867364<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie影响因子(影响力)学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/ifr/?ISSN=BK0867364<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie网络公开度<br> http://figure.impactfactor.cn/at/?ISSN=BK0867364<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie网络公开度学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/atr/?ISSN=BK0867364<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie被引频次<br> http://figure.impactfactor.cn/tc/?ISSN=BK0867364<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie被引频次学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/tcr/?ISSN=BK0867364<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie年度引用<br> http://figure.impactfactor.cn/ii/?ISSN=BK0867364<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie年度引用学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/iir/?ISSN=BK0867364<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie读者反馈<br> http://figure.impactfactor.cn/5y/?ISSN=BK0867364<br><br> <br><br>书目名称Silizium-Halbleitertechnologie读者反馈学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/5yr/?ISSN=BK0867364<br><br> <br><br>
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发表于 2025-3-21 22:43:40
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growth-factor
发表于 2025-3-22 03:03:58
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Peak-Bone-Mass
发表于 2025-3-22 07:01:09
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Vulnerable
发表于 2025-3-22 09:59:44
Montage integrierter Schaltungen,Zur Einhäusung der Chips müssen die Siliziumscheiben nach der Prozessierung vorbehandelt werden. Anschließend folgen das Zerlegen der Scheiben in Chips, das Einkleben ins Gehäuse sowie die Verdrahtung der Anschlüsse von den Pads auf dem Chip zum Gehäuseanschluss. Neben den Einzeldrahtverfahren werden Komplettkontaktierungsverfahren vorgestellt.
Fester
发表于 2025-3-22 14:53:16
Ulrich HilleringmannUmfassende Darstellung der Fertigungsverfahren bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltungen.Fertigungsverfahren und Technologien in der Mikroelektronik.Aktuelle Verfahren der mikroelektronische
DEMN
发表于 2025-3-22 20:39:14
http://reply.papertrans.cn/87/8674/867364/867364_7.png
Indelible
发表于 2025-3-23 01:10:02
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Brain-Imaging
发表于 2025-3-23 02:43:57
https://doi.org/10.1007/978-3-8348-2085-310 nm; Anforderung; Anwender; Atomic; Ausstattungen; Bipolar-Technologie; Bipolarschaltung; Bipolartechnik;
Intervention
发表于 2025-3-23 05:46:00
Oxidation des Siliziums,n Modell über einen linearen und einen parabolischen Anteil beschrieben. Es ist sowohl für die trockene als auch für die feuchte Oxidation gültig. Auch Abscheideverfahren für Siliziumdioxid werden angesprochen.