高出来的名词
发表于 2025-3-21 18:01:13
书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen影响因子(影响力)<br> http://figure.impactfactor.cn/if/?ISSN=BK0741146<br><br> <br><br>书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen影响因子(影响力)学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/ifr/?ISSN=BK0741146<br><br> <br><br>书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen网络公开度<br> http://figure.impactfactor.cn/at/?ISSN=BK0741146<br><br> <br><br>书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen网络公开度学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/atr/?ISSN=BK0741146<br><br> <br><br>书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen被引频次<br> http://figure.impactfactor.cn/tc/?ISSN=BK0741146<br><br> <br><br>书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen被引频次学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/tcr/?ISSN=BK0741146<br><br> <br><br>书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen年度引用<br> http://figure.impactfactor.cn/ii/?ISSN=BK0741146<br><br> <br><br>书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen年度引用学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/iir/?ISSN=BK0741146<br><br> <br><br>书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen读者反馈<br> http://figure.impactfactor.cn/5y/?ISSN=BK0741146<br><br> <br><br>书目名称Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen读者反馈学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/5yr/?ISSN=BK0741146<br><br> <br><br>
挫败
发表于 2025-3-21 21:24:21
http://reply.papertrans.cn/75/7412/741146/741146_2.png
prick-test
发表于 2025-3-22 03:43:06
http://reply.papertrans.cn/75/7412/741146/741146_3.png
沐浴
发表于 2025-3-22 08:27:18
Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor, folgen aus der Auswertung von Gleichstrom-Kennlinien. Die MOSFET-Kapazitäten können mit Messschaltungen bei der Frequenz von 1 MHz oder über die Auswertung der Frequenzabhängigkeit der maximalen stabilen Leistungsverstärkung in den drei Grundschaltungen extrahiert werden.
Indolent
发表于 2025-3-22 11:38:18
http://reply.papertrans.cn/75/7412/741146/741146_5.png
Dorsal-Kyphosis
发表于 2025-3-22 13:58:57
Optokoppler, Si-npn-Fototransistor vorgenommen. Statische Modellparameter folgen aus den LED-Durchlass- und -Sperrkennlinien sowie aus dem Ausgangskennlinienfeld des Transistors. Die Sperrschichtkapazitäten werden mit dem Programm MODEL EDITOR und die Transitzeit über die frequenzabhängige Leistungsverstärkung ermittelt.
Defraud
发表于 2025-3-22 18:57:27
Sensoren,n betrachtet, bei denen die Elemente von Schwingkreisen zu erfassen sind. Dazu zählen piezoelektrische Summer und Ultraschallsensoren. Ausgehend von Datenblattangaben werden diejenigen Modellparameter berechnet, die für eine Simulation mit dem Programm PSPICE erforderlich sind.
遵循的规范
发表于 2025-3-22 21:36:14
Solarzellen, untersucht. Die Analyse von Strom, Leistung und Wirkungsgrad für die Standard-Testbedingungen erfolgt mit dem Programm PSPICE. Die Parameterextraktion liefert den Dioden-Sättigungsstrom sowie den Parallel- und Serienwiderstand.
直觉好
发表于 2025-3-23 04:53:55
978-3-658-43820-3Der/die Herausgeber bzw. der/die Autor(en), exklusiv lizenziert an Springer Fachmedien Wiesbaden Gmb
他去就结束
发表于 2025-3-23 08:58:28
https://doi.org/10.1007/978-3-658-43821-0Elektrotechnik; Elektronik; Feldeffekttransistor; Halbleiterdiode; OrCAD-PSPICE; SPICE-Modellparameter; Sp