Incorporate 发表于 2025-3-25 03:24:12
http://reply.papertrans.cn/55/5454/545359/545359_21.png一再困扰 发表于 2025-3-25 09:51:47
Darstellungstechnik,h die Eingabeprozeduren mit Hilfe von Kommandos und ihre erkennbare Ausführung und Bestätigung behandelt wurden, ist es nun notwendig, die für den Dialog benötigten . näher zu betrachten. Bild 7.1 zeigt den Kommunikationsbereich einschließlich der Routinen, die die Visualisierung des generierten Objdefile 发表于 2025-3-25 13:05:40
,Erzeugnisstruktur und Stücklistenerstellung, die bestehenden Verbindungen werden durch die . beschrieben . Nach Abschluß der Entwicklung und endgültiger Zuordnung der Teile zu bestimmten Baugruppen wird aus der Baustruktur die Erzeugnisstruktur gebildet. Die . gibt zu erkennen, welche Baugruppen und welche Teile zu einem Erzeugnis geh真 发表于 2025-3-25 19:09:50
http://reply.papertrans.cn/55/5454/545359/545359_24.pngOffbeat 发表于 2025-3-25 23:57:17
Gerhard Pahl Die Störungen werden im Wesentlichen durch schnelle Schalt- bzw. Kommutierungsvorgänge im Leistungsteil des Umrichters verursacht. Zusätzlich können Resonanzkreise aus parasitären Kapazitäten und Induktivitäten zu hochfrequenten Schwingungen angeregt werden.Creditee 发表于 2025-3-26 03:26:34
Gerhard Pahllgt schließlich der IGBT, das heutige „Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leistung) mit denen des MOSFET (Ansteuerung) vereint. Mit dem IGBT lassen sich derzeit Spannungen bis über 6 kV bzw. Ströme über 3 kA mit einem vergleichsweise geringen SteuBURSA 发表于 2025-3-26 06:24:11
http://reply.papertrans.cn/55/5454/545359/545359_27.pngdeforestation 发表于 2025-3-26 10:05:00
Gerhard Pahlandelt. Aufbauend auf der bipolaren Transistorstruktur wird der Thyristor und der GTO-Thyristor bzw. IGCT vorgestellt. Nach Einführung des MOSFET-Leistungstransistors folgt schließlich der IGBT, das heutige „Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leishappiness 发表于 2025-3-26 16:41:19
http://reply.papertrans.cn/55/5454/545359/545359_29.png六个才偏离 发表于 2025-3-26 19:25:43
unipolaren MOSFET-Leistungstransistors folgt schließlich der IGBT, das heutige „Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leistung) mit denen des MOSFET (Ansteuerung) vereint. Mit dem IGBT lassen sich derzeit Spannungen bis über 6 kV bzw. Ströme über 3