Occlusion
发表于 2025-4-1 03:36:05
S. M. Myersr war es wohl kein Zufall, sondern Ergebnis einer nachvollziehbaren Logik, daß sich beide Institute um den Rat und die Unterstützung des gleichen Mannes bemüht haben, der in einer seltenen Kombination Sachverstand und Erfah rung, Kreativität und Regionalkenntnisse in einer Person vereint, nämlich S
condescend
发表于 2025-4-1 09:41:44
http://reply.papertrans.cn/48/4752/475175/475175_62.png
linear
发表于 2025-4-1 13:09:48
Characteristics of Implanted N-Type Profiles in GaAs Annealed in a Controlled Atmosphere% with tabulated values for energies 50 to 400 keV. Silicon and sulfur implantations of >2 x 10. cm. annealed at 800 C for 20 min resulted in apparent electrical conversion efficiencies >75%. The CAT annealed profiles are approximately Gaussian near the peaks with exponential tail behavior at lower concentrations.