cancer
发表于 2025-3-23 12:27:03
Book 2006actions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described.
使闭塞
发表于 2025-3-23 14:26:23
Book 2006teps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials
芳香一点
发表于 2025-3-23 21:31:59
dem Leser Orientierungshilfen zu geben. Wegen der Vielschichtigkeit der weltweiten Verflechtungen werden die einzelnen Sachverhalte aus unterschiedlichen Blickwinkeln betrachtet. Hohes Bevölke rungswachstum zum Beispiel ist ein typisches Kennzeichen der Entwicklungslän der und wird folglich als Problemfeld 978-3-7908-0349-5978-3-642-86593-0
keloid
发表于 2025-3-24 01:41:46
http://reply.papertrans.cn/48/4752/475171/475171_14.png
狼群
发表于 2025-3-24 05:05:44
http://reply.papertrans.cn/48/4752/475171/475171_15.png
陪审团每个人
发表于 2025-3-24 10:18:14
http://reply.papertrans.cn/48/4752/475171/475171_16.png
parasite
发表于 2025-3-24 13:07:42
http://reply.papertrans.cn/48/4752/475171/475171_17.png
Externalize
发表于 2025-3-24 15:17:50
Doping, Diffusion and Defects in Ion-Implanted Si,
SNEER
发表于 2025-3-24 22:34:34
Ion-Induced Atomic Intermixing at the Interface: Ion Beam Mixing,
glucagon
发表于 2025-3-25 02:06:04
Application of Ion Implantation Techniques in CMOS Fabrication,