AXIS
发表于 2025-3-23 12:14:41
Topics in Applied Physicshttp://image.papertrans.cn/h/image/426689.jpg
BORE
发表于 2025-3-23 16:16:28
http://reply.papertrans.cn/43/4267/426689/426689_12.png
Override
发表于 2025-3-23 19:01:47
http://reply.papertrans.cn/43/4267/426689/426689_13.png
铁砧
发表于 2025-3-24 01:29:38
http://reply.papertrans.cn/43/4267/426689/426689_14.png
GLEAN
发表于 2025-3-24 05:38:47
http://reply.papertrans.cn/43/4267/426689/426689_15.png
Commonplace
发表于 2025-3-24 06:50:18
Uwe Brauch,Peter Loosen,Hans Opowertalten sind, stellen die Autoren die wesentlichen Anforderungen zusammen...Jedes Unternehmen - ob ein kleines Büro, ein Handwerksbetrieb oder ein Konzernunternehmen - muß sich mit diesen Fragen auseinandersetze978-3-540-00792-0978-3-642-18506-9
Reclaim
发表于 2025-3-24 13:40:28
http://reply.papertrans.cn/43/4267/426689/426689_17.png
BLA
发表于 2025-3-24 15:50:30
Markus Weyers,Arnab Bhattacharya,Frank Bugge,Arne Knauer
膝盖
发表于 2025-3-24 20:31:17
http://reply.papertrans.cn/43/4267/426689/426689_19.png
Encephalitis
发表于 2025-3-25 00:24:18
GaAs Substrates for High-Power Diode Lasers,nical part. Boric oxide was used to fully encapsulate the crystal and the melt. An initial silicon content in the GaAs melt of .(Si.) = 3 × 10. cm. has to be used in order to achieve a carrier concentration of . = (0.8−2) × 10. cm., which is the substrate specification of the device manufacturer of