ADJ
发表于 2025-3-23 13:19:10
Der Metall-Halbleiter-Kontakt,chen Herstellung gegeben.. Metall-Halbleiter-Übergänge treten zum einen bei der Kontaktierung von Bauelementen (vorwiegend polungsunabhängige Kontakte) auf; zum anderen werden Metall-Halbleiter-Übergänge in zunmehmendem Maße als eigenständige Bauelemente verwendet (z.B. in Form von Schottky-Dioden,
Offset
发表于 2025-3-23 16:30:11
,Meßverfahren zur Ermittlung von Halbleiterparametern,eitermeßtechnik bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen prinzipiell zur Verbesserung und Überwachung der Kristallherstellung und Kennzeichnung des Grundmaterials durch Angabe des Leitungstyps, der Leitfähigkeit und anderer elektrischer Parameter, sowie zur Überwachung der Veränderungen im Mat
虚构的东西
发表于 2025-3-23 18:24:09
http://reply.papertrans.cn/43/4206/420538/420538_13.png
光滑
发表于 2025-3-23 22:17:59
http://reply.papertrans.cn/43/4206/420538/420538_14.png
AMEND
发表于 2025-3-24 02:31:07
http://reply.papertrans.cn/43/4206/420538/420538_15.png
窃喜
发表于 2025-3-24 09:00:12
http://reply.papertrans.cn/43/4206/420538/420538_16.png
Arteriography
发表于 2025-3-24 12:49:14
https://doi.org/10.1007/978-94-011-7846-4chen Herstellung gegeben.. Metall-Halbleiter-Übergänge treten zum einen bei der Kontaktierung von Bauelementen (vorwiegend polungsunabhängige Kontakte) auf; zum anderen werden Metall-Halbleiter-Übergänge in zunmehmendem Maße als eigenständige Bauelemente verwendet (z.B. in Form von Schottky-Dioden,
率直
发表于 2025-3-24 18:14:00
https://doi.org/10.1007/978-1-4899-6008-5eitermeßtechnik bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen prinzipiell zur Verbesserung und Überwachung der Kristallherstellung und Kennzeichnung des Grundmaterials durch Angabe des Leitungstyps, der Leitfähigkeit und anderer elektrischer Parameter, sowie zur Überwachung der Veränderungen im Mat
慢跑
发表于 2025-3-24 21:33:20
https://doi.org/10.1007/978-1-4039-4401-6ng enthält), können in den allerwenigsten Fällen in dieser Form vom Anwender in System wie Leiterplatten usw. eingebaut werden. Dies liegt u.a. daran, daß eine geringfügige mechanische Beanspruchung das aus der dünnen (ca. 1 μm dicken) Aluminiumschicht bestehende Leiterbahnmuster zerstören würde; au
Conjuction
发表于 2025-3-25 01:40:15
https://doi.org/10.1057/9781137264992t, daß alle Komponenten einer Schaltung auf einer Siliziumscheibe mit denselben technologischen Prozessen hergestellt werden. Als aktive Elemente werden bei monolithischen Schaltungen sowohl bipolare Transistoren (Abschn. 11. l) als auch unipolare Transistoren, also MOS-Transistoren (Abschn. 11.2),