Stable-Angina 发表于 2025-4-1 02:27:49
http://reply.papertrans.cn/31/3076/307518/307518_61.png债务 发表于 2025-4-1 06:35:28
Datenerfassung und Shopfloor-Integration,Strom fließt über einander abwechselnde n- und p-Zonen. . zeigt die Zonenfolge beim npn-Transistor, . beim dazu komplementären pnp-Transistor mit den Anschlüssen Emitter E, Basis B und Kollektor C. Die beiden pn-Übergänge kann man ersatzweise nach . als gegeneinander geschaltete Dioden darstellen migrovel 发表于 2025-4-1 14:02:59
Jürgen Kletti,Rainer Deisenrothchenverstärker (T3) und einer Endstufe (T4). Die Schaltung hat zwei Eingänge – mit P und N bezeichnet – und einen Ausgang A, jeweils bezogen auf Masse. Die Letztere wird gebildet durch den gemeinsamen Schaltungspunkt einer positiven und negativen Betriebsspannungsquelle. Die einzelnen Verstärkerstuf支柱 发表于 2025-4-1 15:46:26
http://reply.papertrans.cn/31/3076/307518/307518_64.pngContend 发表于 2025-4-1 19:02:19
http://reply.papertrans.cn/31/3076/307518/307518_65.pngGene408 发表于 2025-4-2 02:24:46
http://reply.papertrans.cn/31/3076/307518/307518_66.pngHeadstrong 发表于 2025-4-2 06:24:53
Paul L. Huang MD, PhD,Paul L. Huang MD, PhDverdeutlicht mit .. Die Ausgänge eines 3 Bit-Dualzählers mit den Bits d., d., d. werden einem DA-Umsetzer zugeführt, der analog zum jeweiligen Zählerstand eine Ausgangsspannung u. bildet. Gemäß der schrittweisen Änderung der Dualzahl kann sich auch die Spannung u. nur schrittweise um jeweils eine Sp不再流行 发表于 2025-4-2 11:04:21
Bradycardia and Pacemakers/CRT,hrte Funktion ausüben. Da es sich dabei häufig nur um Varianten konventioneller Bauelemente handelt, wurden einige bereits im vorangegangenen Text besprochen: Fotowiderstände, Fotodioden bzw. Fotoelemente, Leuchtdioden, Anzeigebausteine und Bildröhren. Im Folgenden sollen Fototransistoren und -thyrigangrene 发表于 2025-4-2 13:05:58
Adam Opolski,Laurent Degos,Marika Pla. Die dem Transistor zugeführte und in Wärme umgesetzte (Verlust-) Leistung P muss notfalls über einen Kühlkörper nach außen so abgeleitet werden, dass eine übermäßige Erwärmung des Kristalls vermieden wird. Bei Ge-Transistoren darf die Sperrschichttemperatur Tj höchstens auf 75 …90 °C ansteigen, be