不整齐 发表于 2025-3-25 05:39:12

Weiterentwicklungen des Flächentransistors und andere Transistortypen die Kapazität des Kollektorübergangs gering sein. Wenn gleichzeitig eine nennenswerte Ausgangsleistung gefordert wird, dann stößt man beim ursprünglichen PNP- und NPN-Transistor auf bestimmte, seiner Struktur anhaftende Grenzen. Zur Erreichung kurzer Laufzeiten muß die Basiszone sehr dünn gemacht w

邪恶的你 发表于 2025-3-25 09:34:34

http://reply.papertrans.cn/31/3046/304525/304525_22.png

少量 发表于 2025-3-25 15:12:51

Weiterentwicklungen des Flächentransistors und andere Transistortypens Transistors eingeschränkt wird. Außerdem ist eine hohe Kollektorkapazität mit ihrer ungünstigen Wirkung auf das Hochfrequenzverhalten die Folge, weil die Raumladungsschicht zwischen zwei (entgegengesetzt) hochdotierten Zonen schmal ist.

incarcerate 发表于 2025-3-25 17:25:46

http://reply.papertrans.cn/31/3046/304525/304525_24.png

倔强不能 发表于 2025-3-25 21:14:00

http://reply.papertrans.cn/31/3046/304525/304525_25.png

四牛在弯曲 发表于 2025-3-26 04:06:43

http://reply.papertrans.cn/31/3046/304525/304525_26.png

否认 发表于 2025-3-26 06:19:10

Einführungang eines elektronischen Systems oft relativ hohe Leistungen benötigt werden, z. B. wenn elektromechanische Wandler, wie Lautsprecher, Schreibmaschinen, Hollerithmaschinen, Servomotoren usw., betrieben werden sollen.

Gene408 发表于 2025-3-26 11:23:39

Halbleitereigenschaftennkte behandelt werden, die unmittelbar mit der Transistordimensionierung zusammenhängen. Denjenigen Lesern, die sich der Forschung auf dem interessanten Gebiet der Festkörperbauelemente widmen wollen, sei die angegebene Literatur [. bis .] empfohlen.

Filibuster 发表于 2025-3-26 13:41:06

Ergebnisse der Chirurgie und Orthopädiee zwischen Halbleitern und Isolatoren. Charakteristisch für viele Halbleiter ist jedoch auch die große Empfindlichkeit ihrer Leitfähigkeit gegenüber geringen Beimengungen von Fremdstoffen und gegenüber der Temperatur.

过去分词 发表于 2025-3-26 18:37:13

Ergebnisse der Chirurgie und Orthopädieon Transistoren nötige Theorie beschrieben. Es wird eine quantitative mathematische Beschreibung des Transistorverhaltens abgeleitet, wobei die Geometrie und die Materialeigenschaften mit dem elektrischen Verhalten des Bauelementes in Beziehung gesetzt werden.
页: 1 2 [3] 4
查看完整版本: Titlebook: Einführung in die Physik des Transistors; Wolfgang W. Gärtner Book 1963 Springer-Verlag OHG., Berlin/Göttingen/Heidelberg 1963 Datenverarb