不整齐
发表于 2025-3-25 05:39:12
Weiterentwicklungen des Flächentransistors und andere Transistortypen die Kapazität des Kollektorübergangs gering sein. Wenn gleichzeitig eine nennenswerte Ausgangsleistung gefordert wird, dann stößt man beim ursprünglichen PNP- und NPN-Transistor auf bestimmte, seiner Struktur anhaftende Grenzen. Zur Erreichung kurzer Laufzeiten muß die Basiszone sehr dünn gemacht w
邪恶的你
发表于 2025-3-25 09:34:34
http://reply.papertrans.cn/31/3046/304525/304525_22.png
少量
发表于 2025-3-25 15:12:51
Weiterentwicklungen des Flächentransistors und andere Transistortypens Transistors eingeschränkt wird. Außerdem ist eine hohe Kollektorkapazität mit ihrer ungünstigen Wirkung auf das Hochfrequenzverhalten die Folge, weil die Raumladungsschicht zwischen zwei (entgegengesetzt) hochdotierten Zonen schmal ist.
incarcerate
发表于 2025-3-25 17:25:46
http://reply.papertrans.cn/31/3046/304525/304525_24.png
倔强不能
发表于 2025-3-25 21:14:00
http://reply.papertrans.cn/31/3046/304525/304525_25.png
四牛在弯曲
发表于 2025-3-26 04:06:43
http://reply.papertrans.cn/31/3046/304525/304525_26.png
否认
发表于 2025-3-26 06:19:10
Einführungang eines elektronischen Systems oft relativ hohe Leistungen benötigt werden, z. B. wenn elektromechanische Wandler, wie Lautsprecher, Schreibmaschinen, Hollerithmaschinen, Servomotoren usw., betrieben werden sollen.
Gene408
发表于 2025-3-26 11:23:39
Halbleitereigenschaftennkte behandelt werden, die unmittelbar mit der Transistordimensionierung zusammenhängen. Denjenigen Lesern, die sich der Forschung auf dem interessanten Gebiet der Festkörperbauelemente widmen wollen, sei die angegebene Literatur [. bis .] empfohlen.
Filibuster
发表于 2025-3-26 13:41:06
Ergebnisse der Chirurgie und Orthopädiee zwischen Halbleitern und Isolatoren. Charakteristisch für viele Halbleiter ist jedoch auch die große Empfindlichkeit ihrer Leitfähigkeit gegenüber geringen Beimengungen von Fremdstoffen und gegenüber der Temperatur.
过去分词
发表于 2025-3-26 18:37:13
Ergebnisse der Chirurgie und Orthopädieon Transistoren nötige Theorie beschrieben. Es wird eine quantitative mathematische Beschreibung des Transistorverhaltens abgeleitet, wobei die Geometrie und die Materialeigenschaften mit dem elektrischen Verhalten des Bauelementes in Beziehung gesetzt werden.