Ventilator
发表于 2025-3-23 10:14:36
http://reply.papertrans.cn/31/3046/304525/304525_11.png
不满分子
发表于 2025-3-23 14:30:49
Ergebnisse der Chirurgie und Orthopädiet homogen sein, sondern kann völlig willkürlich über das Volumen des Kristalls variieren. Besonders wichtig sind Änderungen, bei denen der Leitungstyp des Kristalls von N- in P-Leitung oder umgekehrt übergeht.
教育学
发表于 2025-3-23 19:32:31
Ergebnisse der Chirurgie und Orthopädiegang zu einem in Sperrichtung vorgespannten Übergang, wo sie „gesammelt“ werden. Man nennt den ersten Übergang „Emitterdiode“, den zweiten Übergang „Kollektordiode“. Der zwischen Emitter und Basiszuleitung auftretende Eingangswiderstand der in Flußrichtung gepolten Emitterdiode ist klein. Der zwisch
成份
发表于 2025-3-23 22:31:38
https://doi.org/10.1007/978-3-642-91087-6 die Kapazität des Kollektorübergangs gering sein. Wenn gleichzeitig eine nennenswerte Ausgangsleistung gefordert wird, dann stößt man beim ursprünglichen PNP- und NPN-Transistor auf bestimmte, seiner Struktur anhaftende Grenzen. Zur Erreichung kurzer Laufzeiten muß die Basiszone sehr dünn gemacht w
AVID
发表于 2025-3-24 06:17:38
Die endovesicale Thermokoagulation,wischen dem Aufbau und dem elektrischen Verhalten des Systems bestehen. Auf der Grundlage dieser Theorie ist es möglich, Transistoren mit spezifischen Eigenschaften zu entwickeln und die endgültigen Daten für gegebene Strukturen vorauszuberechnen. Diese Theorie stellt die Ausgangsbasis für den mit d
贵族
发表于 2025-3-24 07:46:23
http://reply.papertrans.cn/31/3046/304525/304525_16.png
受伤
发表于 2025-3-24 10:44:05
Grundlegende Begriffe der Halbleiterphysikteilen; der Widerstand der Halbleiter liegt zwischen 10. und 10. Ωcm. Diese Klassifizierung ist ziemlich willkürlich, doch ist der Widerstand bei Zimmertemperatur das einzige gemeinsame Merkmal, durch welches alle Halbleiter gekennzeichnet werden können. Sonst gibt es keine grundlegenden Unterschied
继而发生
发表于 2025-3-24 15:53:40
Halbleitereigenschaften eingehen. Ihre experimentelle und theoretische Untersuchung ist Gegenstand der Festkörperphysik (siehe [.]). Hier können jedoch nur solche Gesichtspunkte behandelt werden, die unmittelbar mit der Transistordimensionierung zusammenhängen. Denjenigen Lesern, die sich der Forschung auf dem interessant
抒情短诗
发表于 2025-3-24 22:51:41
http://reply.papertrans.cn/31/3046/304525/304525_19.png
auxiliary
发表于 2025-3-24 23:33:36
Der Flächentransistor [, bis ,]gang zu einem in Sperrichtung vorgespannten Übergang, wo sie „gesammelt“ werden. Man nennt den ersten Übergang „Emitterdiode“, den zweiten Übergang „Kollektordiode“. Der zwischen Emitter und Basiszuleitung auftretende Eingangswiderstand der in Flußrichtung gepolten Emitterdiode ist klein. Der zwisch