Sentry
发表于 2025-3-21 18:15:37
书目名称Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden影响因子(影响力)<br> http://impactfactor.cn/if/?ISSN=BK0303753<br><br> <br><br>书目名称Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden影响因子(影响力)学科排名<br> http://impactfactor.cn/ifr/?ISSN=BK0303753<br><br> <br><br>书目名称Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden网络公开度<br> http://impactfactor.cn/at/?ISSN=BK0303753<br><br> <br><br>书目名称Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden网络公开度学科排名<br> http://impactfactor.cn/atr/?ISSN=BK0303753<br><br> <br><br>书目名称Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden被引频次<br> http://impactfactor.cn/tc/?ISSN=BK0303753<br><br> <br><br>书目名称Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden被引频次学科排名<br> http://impactfactor.cn/tcr/?ISSN=BK0303753<br><br> <br><br>书目名称Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden年度引用<br> http://impactfactor.cn/ii/?ISSN=BK0303753<br><br> <br><br>书目名称Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden年度引用学科排名<br> http://impactfactor.cn/iir/?ISSN=BK0303753<br><br> <br><br>书目名称Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden读者反馈<br> http://impactfactor.cn/5y/?ISSN=BK0303753<br><br> <br><br>书目名称Einfluß von Getterprozessen auf die Eigenschaften von ionenimplantierten integrierten Fotodioden读者反馈学科排名<br> http://impactfactor.cn/5yr/?ISSN=BK0303753<br><br> <br><br>
meretricious
发表于 2025-3-21 23:40:11
http://reply.papertrans.cn/31/3038/303753/303753_2.png
让步
发表于 2025-3-22 00:36:39
Digitalisierung der Finanzindustrien erforderlich, um die durch die Oxidladungen des Dickoxids an der Substratoberfläche entstehenden leitenden Inversionsschichten zu vermeiden. Ein Gitter von diffundierten Kontakten reduziert den Serienwiderstand der implantierten Schicht und ermöglicht kurze Schaltzeiten.
Abbreviate
发表于 2025-3-22 06:43:05
Beschreibung der Teststrukturen,n erforderlich, um die durch die Oxidladungen des Dickoxids an der Substratoberfläche entstehenden leitenden Inversionsschichten zu vermeiden. Ein Gitter von diffundierten Kontakten reduziert den Serienwiderstand der implantierten Schicht und ermöglicht kurze Schaltzeiten.
大厅
发表于 2025-3-22 11:33:57
http://reply.papertrans.cn/31/3038/303753/303753_5.png
火车车轮
发表于 2025-3-22 14:41:55
http://reply.papertrans.cn/31/3038/303753/303753_6.png
火车车轮
发表于 2025-3-22 17:07:51
https://doi.org/10.1007/978-3-662-65858-1 ultraviolettes Licht. Durch das Fotodiodenlayout mit Guard—Ring, Feldimplantation bei n-Kanal- und CMOS-Prozeß und einer den Guard-Ring überlappenden Metallisierung konnten geringe Sperrströme und Sperrspannungen bis zu 130 V erreicht werden.
febrile
发表于 2025-3-22 21:29:12
http://reply.papertrans.cn/31/3038/303753/303753_8.png
evince
发表于 2025-3-23 04:12:16
Lea Henkel,Annika Krug,Boris ZimmermannDer Einfluß des die lichtempfindliche Fläche der Fotodiode, also den Bereich des flachen pn-Übergangs, abdeckenden Oxids ist begründet durch dessen Wirkung als Antireflexionsschicht und durch die durch Vermeidung der durch hohe Oberflächenrekombinationsraten unempfindlichen Oberflächenschicht mittels Passivierung der Oberflächenzustände.
两栖动物
发表于 2025-3-23 09:10:06
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