Assault
发表于 2025-3-27 00:30:49
Abweichungen der Ausgangsspannung quadratischer Elemente mit Feldeffekttransistoren vom idealen VerZur Beurteilung der quadratischen Elemente mit Feldeffekttransistoren wird der Quadrierfehler ΔC/C und der Verzerrungsgehalt V. eingeführt. Anschließend sind experimentelle Ergebnisse für ΔC/C und V. angegeben.
parasite
发表于 2025-3-27 03:00:02
http://reply.papertrans.cn/31/3033/303260/303260_32.png
猛击
发表于 2025-3-27 08:35:50
Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalenhttp://image.papertrans.cn/e/image/303260.jpg
唤起
发表于 2025-3-27 09:48:55
https://doi.org/10.1007/978-3-322-88459-6Einsatz; Feldeffekt; Feldeffekttransistor; Feldeffekttransistoren; Forschung; Transistor
女歌星
发表于 2025-3-27 14:46:45
http://reply.papertrans.cn/31/3033/303260/303260_35.png
砍伐
发表于 2025-3-27 21:44:45
Overview: 978-3-531-02866-8978-3-322-88459-6
glucagon
发表于 2025-3-27 23:02:22
http://reply.papertrans.cn/31/3033/303260/303260_37.png
Aggrandize
发表于 2025-3-28 04:54:13
http://reply.papertrans.cn/31/3033/303260/303260_38.png
雇佣兵
发表于 2025-3-28 06:43:59
,Einführung, gefunden. Ein besonderer Vorzug des Feldeffekttransistors aller Typen sind seine quadratischen Kennlinien, die bei seinem Einsatz als Verstärker ein geringes Verzerrungsverhalten gewährleisten. Darüberhinaus eignet sich der Feldeffekttransistor als Element zur Realisierung quadratischer Funktionen
整顿
发表于 2025-3-28 12:43:47
,Parabeläste des Feldeffekttransistors,mit deren Hilfe der Feldeffekttransistor als quadratisches Element eingesetzt werden kann. In Bild 1 sind im I.-U.-Kennlinien-feld eines selbstleitenden n-Kanal-MOSFET Möglichkeiten aufgezeigt, Parabeläste zu erhalten. Damit die Bulk-Source-Diode des MOSFET bei Inversbetrieb (U. < 0) nicht in Flußri