吞没
发表于 2025-3-23 11:58:11
https://doi.org/10.1007/978-3-662-26329-7en durch Vorzeichen -dieser Parameter berücksichtigt werden können. Bei verfeinerten Modellen sind vor allem der Beweglichkeitsund der Substrateinfluß /1, 14/ auf den Drainstrom und die Bulksteuerung zu berücksichtigen. Darüberhinaus ist aber auch der exponentielle Einfluß, der bei kleinen Drainströmen /15, 16/ auftritt, von Interesse.
interlude
发表于 2025-3-23 14:42:02
Alten Bibliotheken eine Zukunft,war die Gate-Dioden, dafür sind aber die Bulk-Dioden (Bild 11) vorhanden. Die Berechnung der Aussteuergrenzen erfolgt unter der Annahme, daß jeweils die Feldeffekttransistoren gleiche Parameter ß und U. haben.
推延
发表于 2025-3-23 19:16:31
http://reply.papertrans.cn/31/3033/303260/303260_13.png
精致
发表于 2025-3-23 22:16:05
http://reply.papertrans.cn/31/3033/303260/303260_14.png
byline
发表于 2025-3-24 03:14:40
https://doi.org/10.1007/978-3-642-90990-0sich der Aussteuerbereich erweitern und bei unterschiedlichen Schwellspannungen auch ein Verzerrungsabgleich erreichen. Wird die Schaltung nicht im Kurzschluß betrieben, ergeben sich besondere Probleme, die Gate-Source-Vorspannungen mit massebezogenen Quellen einstellen zu können.
树胶
发表于 2025-3-24 09:13:41
,Spezielle Schaltungen für den Einsatz des Feldeffekttransistors als quadratisches Element,sich der Aussteuerbereich erweitern und bei unterschiedlichen Schwellspannungen auch ein Verzerrungsabgleich erreichen. Wird die Schaltung nicht im Kurzschluß betrieben, ergeben sich besondere Probleme, die Gate-Source-Vorspannungen mit massebezogenen Quellen einstellen zu können.
hemorrhage
发表于 2025-3-24 12:44:25
Die Grundlagen der Selbstorganisation, gefunden. Ein besonderer Vorzug des Feldeffekttransistors aller Typen sind seine quadratischen Kennlinien, die bei seinem Einsatz als Verstärker ein geringes Verzerrungsverhalten gewährleisten. Darüberhinaus eignet sich der Feldeffekttransistor als Element zur Realisierung quadratischer Funktionen
杀死
发表于 2025-3-24 17:21:49
http://reply.papertrans.cn/31/3033/303260/303260_18.png
Ptsd429
发表于 2025-3-24 22:56:06
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暂时休息
发表于 2025-3-24 23:46:32
https://doi.org/10.1007/978-3-662-26329-7odell sowohl für den Sperrschicht- als auch für den MOS-Feldeffekt-transistor. Die Parameter dieses Modells sind ß und U., wobei die verschiedenen Typen durch Vorzeichen -dieser Parameter berücksichtigt werden können. Bei verfeinerten Modellen sind vor allem der Beweglichkeitsund der Substrateinfluß