overwrought 发表于 2025-3-26 22:49:37
978-3-662-24157-8Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1913欲望小妹 发表于 2025-3-27 01:18:13
https://doi.org/10.1007/3-540-30318-9Die Einwirkung der Operation auf die erkrankte Lunge kommt in der Abnahme des Sputums, dem Abfall des Fiebers und der Besserung des Allgemeinzustandes zum Ausdruck.新手 发表于 2025-3-27 07:52:45
Bilen Emek Abali,Celal ÇakıroğluDie bisherigen Besprechungen haben gezeigt, daß die Thorakoplastik weitgehende anatomische Veränderungen hervorruft, die die Grundlage klinischer Besserung der Krankheit abgeben. Es war weiter schon hervorgehoben, daß diese Besserung in manchen Fällen anhaltend ist und schließlich sogar in Heilung übergeht.Phagocytes 发表于 2025-3-27 12:38:15
http://reply.papertrans.cn/28/2773/277263/277263_34.png杀虫剂 发表于 2025-3-27 13:36:05
Die Erfolge der Behandlung der Lungentuberkulose durch die Thorakoplastik,Die bisherigen Besprechungen haben gezeigt, daß die Thorakoplastik weitgehende anatomische Veränderungen hervorruft, die die Grundlage klinischer Besserung der Krankheit abgeben. Es war weiter schon hervorgehoben, daß diese Besserung in manchen Fällen anhaltend ist und schließlich sogar in Heilung übergeht.Anal-Canal 发表于 2025-3-27 19:47:12
http://image.papertrans.cn/d/image/277263.jpg昏睡中 发表于 2025-3-28 01:35:48
,Die technische Ausführung der Thorakoplastik,icht darauf zu legen, daß sich die Kranken den klimatischen Verhältnissen anpassen. Namentlich gilt das für Kranke, die aus dem Hochgebirge in die Ebene kommen Weiter soll man dafür sorgen, daß die Kranken möglichst gut aushusten, um die Aspirationsgefahr während und nach der Operation zu verhindern.Asperity 发表于 2025-3-28 06:08:41
http://reply.papertrans.cn/28/2773/277263/277263_38.pngalabaster 发表于 2025-3-28 08:20:59
http://reply.papertrans.cn/28/2773/277263/277263_39.pngMere仅仅 发表于 2025-3-28 12:44:42
Oxidation, MOS Capacitors, and MOSFETs,faces as the most promising technique for achieving the device-quality interfaces required for commercial applications. Finally, the performance of some of the power MOSFETs fabricated on SiC is presented.