audiogram
发表于 2025-3-21 19:05:21
书目名称CAD-Entwurfskontrolle in der Mikroelektronik影响因子(影响力)<br> http://figure.impactfactor.cn/if/?ISSN=BK0220153<br><br> <br><br>书目名称CAD-Entwurfskontrolle in der Mikroelektronik影响因子(影响力)学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/ifr/?ISSN=BK0220153<br><br> <br><br>书目名称CAD-Entwurfskontrolle in der Mikroelektronik网络公开度<br> http://figure.impactfactor.cn/at/?ISSN=BK0220153<br><br> <br><br>书目名称CAD-Entwurfskontrolle in der Mikroelektronik网络公开度学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/atr/?ISSN=BK0220153<br><br> <br><br>书目名称CAD-Entwurfskontrolle in der Mikroelektronik被引频次<br> http://figure.impactfactor.cn/tc/?ISSN=BK0220153<br><br> <br><br>书目名称CAD-Entwurfskontrolle in der Mikroelektronik被引频次学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/tcr/?ISSN=BK0220153<br><br> <br><br>书目名称CAD-Entwurfskontrolle in der Mikroelektronik年度引用<br> http://figure.impactfactor.cn/ii/?ISSN=BK0220153<br><br> <br><br>书目名称CAD-Entwurfskontrolle in der Mikroelektronik年度引用学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/iir/?ISSN=BK0220153<br><br> <br><br>书目名称CAD-Entwurfskontrolle in der Mikroelektronik读者反馈<br> http://figure.impactfactor.cn/5y/?ISSN=BK0220153<br><br> <br><br>书目名称CAD-Entwurfskontrolle in der Mikroelektronik读者反馈学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/5yr/?ISSN=BK0220153<br><br> <br><br>
Feature
发表于 2025-3-21 22:08:00
Overview: 978-3-519-02476-7978-3-322-94653-9
匍匐
发表于 2025-3-22 02:26:17
http://reply.papertrans.cn/23/2202/220153/220153_3.png
裹住
发表于 2025-3-22 06:22:06
http://reply.papertrans.cn/23/2202/220153/220153_4.png
幼儿
发表于 2025-3-22 11:30:12
für Strukturen auf verschiedenen Maskenebenen. Technologische Unzuläglichkeiten sind z.B. unexakte Justage der Masken, Gefahr des Kurzschlusses bei nebeneinanderliegenden Leitungen oder die Gefahr der Unterbrechung von schmalen Leiterbahnen. Der Halbleiterhersteller ermittelt durch Versuche die jewe
重画只能放弃
发表于 2025-3-22 16:58:07
erten halbleiterphysikalischen Vorgänge innerhalb der Transistoren ist eine solche Simulation jedoch sehr rechenintensiv. Somit ist eine Simulation auf Schaltkreisebene für Schaltungen mit mehr als ca. 30 Transistoren nicht mit vertretbarem Rechenaufwand möglich. Durch Erzeugung einer Logikbeschreib
重画只能放弃
发表于 2025-3-22 17:42:17
http://reply.papertrans.cn/23/2202/220153/220153_7.png
Counteract
发表于 2025-3-22 23:22:03
oll-Beschreibung einer Schaltung auf einer bestimmten Betrachtungsebene existiert und aus der nächstniedrigen Betrachtungsebene eine Ist-Beschreibung extrahiert wurde. Die Schaltungen bestehen in den Betrachtungsebenen Schaltkreisebene bis RT-Ebene aus Schaltungselementen und Knoten. Die Schaltungse
PANT
发表于 2025-3-23 05:20:16
http://reply.papertrans.cn/23/2202/220153/220153_9.png
轻推
发表于 2025-3-23 08:47:50
http://reply.papertrans.cn/23/2202/220153/220153_10.png