Halloween
发表于 2025-3-21 16:14:37
书目名称Aktive elektronische Bauelemente影响因子(影响力)<br> http://figure.impactfactor.cn/if/?ISSN=BK0152026<br><br> <br><br>书目名称Aktive elektronische Bauelemente影响因子(影响力)学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/ifr/?ISSN=BK0152026<br><br> <br><br>书目名称Aktive elektronische Bauelemente网络公开度<br> http://figure.impactfactor.cn/at/?ISSN=BK0152026<br><br> <br><br>书目名称Aktive elektronische Bauelemente网络公开度学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/atr/?ISSN=BK0152026<br><br> <br><br>书目名称Aktive elektronische Bauelemente被引频次<br> http://figure.impactfactor.cn/tc/?ISSN=BK0152026<br><br> <br><br>书目名称Aktive elektronische Bauelemente被引频次学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/tcr/?ISSN=BK0152026<br><br> <br><br>书目名称Aktive elektronische Bauelemente年度引用<br> http://figure.impactfactor.cn/ii/?ISSN=BK0152026<br><br> <br><br>书目名称Aktive elektronische Bauelemente年度引用学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/iir/?ISSN=BK0152026<br><br> <br><br>书目名称Aktive elektronische Bauelemente读者反馈<br> http://figure.impactfactor.cn/5y/?ISSN=BK0152026<br><br> <br><br>书目名称Aktive elektronische Bauelemente读者反馈学科排名<br> http://figure.impactfactor.cn/5yr/?ISSN=BK0152026<br><br> <br><br>
AVOW
发表于 2025-3-21 23:22:48
http://reply.papertrans.cn/16/1521/152026/152026_2.png
Preamble
发表于 2025-3-22 04:18:23
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Amplify
发表于 2025-3-22 05:34:05
,Der pn-Übergang,kttransistor, Bipolartransistor, Thyristor oder Triac. Die an ihm auftretenden physikalischen Vorgänge werden hier nur soweit erklärt, wie sie für das Verständnis dieser Bauelemente erforderlich sind. Zunächst wird der pn-Übergang ohne äußere Spannung (im thermodynamischen Gleichgewicht), dann mit äußerer Spannung betrachtet.
飞镖
发表于 2025-3-22 10:42:14
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Condense
发表于 2025-3-22 13:30:46
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Individual
发表于 2025-3-22 17:27:59
Hermann v. Hayek Dr. Med. Et Phil.t. Feldeffekttransistoren haben aber nur . interne Sperrschicht. Beim FET trägt zur Steuerung und zum Stromtransport je nach Bauart nur eine Sorte von Ladungsträgern bei, Elektronen . Löcher. Daher werden FETs auch als . (unijunction transistor, UJT) bezeichnet..FET haben wie Bipolartransistoren drei Anschlüsse. Diese werden wie folgt bezeichnet:
织布机
发表于 2025-3-23 00:53:46
Zusammenfassung und Folgerungen,je Bit aus. Durch ihre Herstellung als integrierte Schaltkreise ergibt sich eine hohe Speicherdichte und damit ein kleines Volumen. Aus Speicher-ICs lassen sich Speicher mit beliebiger Kapazität und Organisation aufbauen, die vorwiegend als Programm- und Datenspeicher in Mikroprozessoranwendungen eingesetzt werden (z. B. als PC-Arbeitsspeicher).
integrated
发表于 2025-3-23 04:30:15
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VICT
发表于 2025-3-23 07:40:52
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