innovation
发表于 2025-3-28 15:21:37
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parsimony
发表于 2025-3-28 21:21:28
Betriebs- und UnternehmungsanalyseGe buried channel MOSFET structures. The device design and scalability of the strained Ge buried channel MOSFETs are discussed based on our recent results. CMOS compatible integration approaches of Ge channel devices are presented.
V洗浴
发表于 2025-3-29 02:29:25
https://doi.org/10.1007/978-3-663-07984-2Recent progress and current understanding of high-κ/Ge interface and its impact on device performances are summarized. After reviewing the properties of Ge oxide and high-κ/Ge interface, several reported Ge surface passivation techniques and improved characteristics of high-κ/Ge system using surface passivations are discussed.
样式
发表于 2025-3-29 06:59:21
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squander
发表于 2025-3-29 11:02:45
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NATTY
发表于 2025-3-29 12:58:53
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证明无罪
发表于 2025-3-29 19:26:43
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Facilities
发表于 2025-3-29 21:36:53
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详细目录
发表于 2025-3-30 03:53:29
Strained-Si CMOS Technology,Anwendungsbeispiele.Includes supplementary material: .In der Personalbeurteilung und Personalauswahl werden die verfügbaren und wissenschaftlich abgesicherten Verfahren in der Regel ignoriert oder falsch eingesetzt. Dies ist keineswegs den Praktikern anzulasten, die Verantwortung liegt bei der Wisse
Pruritus
发表于 2025-3-30 05:05:08
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