墙壁 发表于 2025-3-23 11:53:14
http://reply.papertrans.cn/99/9810/980905/980905_11.pngCLOUT 发表于 2025-3-23 16:56:01
A. Henderson-Sellersn als so genannte schnelle Thyristoren in der Umrichtertechnik mit den Ablegern „asymmetrischer Thyristor (ASCR) und den „Gate-abschaltunterstützten Thyristor“ (GATT). Für Neuanwendungen spielen diese Bauteile keine Rolle mehr. Auch in seinem klassischen Einsatzgebiet der GleichstromantriebstechnikVEN 发表于 2025-3-23 19:17:44
Heute sind diese Bauelemente aus vielen Anwendungen verschwunden, ihre Funktion wurde vielfach durch MOSFETs und IGBTs ersetzt. Trotzdem bildet die bipolare Transistorstruktur weiterhin den Kern vieler modernen Bauelemente, so dass ihre Kenntnis für das Verständnis der Wirkungsweise moderner LeistuPruritus 发表于 2025-3-23 23:48:45
B. R. Robertslation . Formeln der Art.mit je . Alternativen auf der rechten Seite. In der Prädikatenlogik erster Stufe definiert man hierfür ein Prädikat Position(nummer, xPosition, yPosition). Die obige Relation muss nun nicht mehr als riesige Menge von Paaren aufgezählt werden, sondern wird abstrakt beschriebe钢盔 发表于 2025-3-24 03:34:56
M. M. Verstraete,B. Pinty unipolaren MOSFET-Leistungstransistors folgt schließlich der IGBT, das heutige „Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leistung) mit denen des MOSFET (Ansteuerung) vereint. Mit dem IGBT lassen sich derzeit Spannungen bis über 6 kV bzw. Ströme über 3larder 发表于 2025-3-24 07:40:40
http://reply.papertrans.cn/99/9810/980905/980905_16.pngaristocracy 发表于 2025-3-24 11:09:42
http://reply.papertrans.cn/99/9810/980905/980905_17.png牢骚 发表于 2025-3-24 18:01:47
M. R. Raupachandelt. Aufbauend auf der bipolaren Transistorstruktur wird der Thyristor und der GTO-Thyristor bzw. IGCT vorgestellt. Nach Einführung des MOSFET-Leistungstransistors folgt schließlich der IGBT, das heutige „Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leispacific 发表于 2025-3-24 19:22:47
A. J. Pitmanörmiger Wechselstrom, so dass der Rotor zur Reduzierung der Wirbelstromverluste immer geblecht ausgeführt wird. Der Zusammenhang zwischen Erregerfeld ., Ankerstrom . und den geometrischen Daten der sättigungsfrei angenommenen Maschine wird in einer Drehmomentkonstanten . in Gl. (16-1) zusammengefass发展 发表于 2025-3-24 23:30:55
H. A. Cleughgen. Die Störungen werden im Wesentlichen durch schnelle Schalt- bzw. Kommutierungsvorgänge im Leistungsteil des Umrichters verursacht. Zusätzlich können Resonanzkreise aus parasitären Kapazitäten und Induktivitäten zu hochfrequenten Schwingungen angreregt werden.