合同 发表于 2025-3-23 13:17:20

https://doi.org/10.1007/978-3-663-04417-8Halbleiter; Messung; Nachrichtentechnik; Physik; Rauschen; Rauschspannung; Schaltung; Verstärker; Widerstand

exceed 发表于 2025-3-23 15:22:17

,Messungen an Drahtwiderständen,wankte und dessen Frequenzgang ähnlich ist wie derjenige bei den Schichtwiderständen. Das Rauschen dieser Widerstände liegt im allgemeinen niedriger, aber noch immer über demjenigen von sehr rauscharmen Schichtwiderständen. Die Verwendung von Drahtwiderständen hat also nicht immer eine Herabsetzung des Rauschens zur Folge.

刺穿 发表于 2025-3-23 22:02:06

Berechnung des Stromrauschens aus den Schwankungserscheinungen im Halbleiter,n das Leitungsband und zur Zeit t = . wieder in eine Störstelle zurück, so bewirkt dieses Elektron, wenn der Halbleiter an einem Gleichspannungsgenerator (Innenwiderstand = 0) angeschlossen ist, im äußeren Stromkreis einen Stromimpuls i(t), der gegeben ist durch:

Mumble 发表于 2025-3-24 01:46:26

Einleitung,ng auf, die unregelmäßige Schwankungen zeigt. In den Geräten der Nachrichtentechnik ruft diese Erscheinung ein Rauschen hervor, weshalb sich die Bezeichnung elektrische „Rauschspannung“ eingebürgert hat. Eine solche Rauschspannung kann aufgefaßt werden als das Zusammenwirken vieler Wechselspannungen

现存 发表于 2025-3-24 04:42:01

,Messungen an Schichtwiderständen,igt die Meßanordnung. Sie besteht aus zwei R-C-Verstärkern mit zwischengeschaltetem Oktav-Bandpaß und einem Thermoumformer mit Lichtmarken-Galvanometer als Anzeigegerät. Es können 27 verschiedene Frequenzbereiche eingestellt werden. (Schwerpunktfrequenzen zwischen f = 45 Hz und 320 kHz.) Mit einem S

URN 发表于 2025-3-24 08:14:08

,Messungen an Drahtwiderständen,sher gemessenen technischen Drahtwiderstände von ca. 100 k Ω und einer Drahtstärke von 20 μ zeigten ein meBbares Stromrauschen, das zeitlich stark schwankte und dessen Frequenzgang ähnlich ist wie derjenige bei den Schichtwiderständen. Das Rauschen dieser Widerstände liegt im allgemeinen niedriger,

心痛 发表于 2025-3-24 11:05:59

Berechnung des Stromrauschens aus den Schwankungserscheinungen im Halbleiter,erallgemeinerung dieser Theorie durchgeführt wird, müssen die GISOLF’ schen Überlegungen kurz wiedergegeben werden: Geht zur Zeit t = 0 ein Elektron in das Leitungsband und zur Zeit t = . wieder in eine Störstelle zurück, so bewirkt dieses Elektron, wenn der Halbleiter an einem Gleichspannungsgenera

Hiatal-Hernia 发表于 2025-3-24 16:54:35

http://reply.papertrans.cn/95/9435/943475/943475_18.png

ostracize 发表于 2025-3-24 19:06:49

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impale 发表于 2025-3-25 01:05:38

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查看完整版本: Titlebook: Untersuchungen über Widerstandsrauschen; aus dem Institut für H. Bittel,L. Storm Book 1955 Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH 1955 Halbleit