Brittle
发表于 2025-3-26 22:58:48
http://reply.papertrans.cn/87/8674/867366/867366_31.png
assent
发表于 2025-3-27 03:12:01
an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik für mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die erweiterte zweite Auflage behandelt zusätzlich neue Entwicklungen der Lithografieverfahren, die Kupfermetal978-3-322-94053-7
干旱
发表于 2025-3-27 08:54:43
Einleitung,monstriert die Leistungsfähigkeit der Halbleitertechnologie in eindrucksvoller Weise. Strukturgrößen von 250 nm Weite, die noch vor wenigen Jahren mit optischer Lithografietechnik als unerreichbar galten, werden zurzeit in der Produktion eingesetzt. Ein Ende der Miniaturisierung ist nicht absehbar.
growth-factor
发表于 2025-3-27 09:47:22
http://reply.papertrans.cn/87/8674/867366/867366_34.png
违抗
发表于 2025-3-27 17:32:32
Oxidation des Siliziums,schichten sind aber auch für die elektrische Funktion der Bauelemente erforderlich. Der jeweiligen Anforderung entsprechend sind Verfahren zum Aufbringen von Oxiden auf die Siliziumscheibe entwickelt worden, die sich in Wachstum und Qualität der entstehenden Schicht unterscheiden.
Torrid
发表于 2025-3-27 19:23:15
Lithografie, Fotomaske in einem dünnen, strahlungsempfindlichen Film, meist einer organischen Fotolackschicht, auf der oxidierten Halbleiterscheibe erzeugt und in speziellen Ätzverfahren in die darunter liegenden Schichten übertragen. In einigen Fällen, z. B. bei der Zonenimplantation, dient der Fotolack selbst
场所
发表于 2025-3-27 23:55:55
,Ätztechnik,n jeweiligen Metallsiliziden geätzt werden. Die Ätztechnik dient dabei zum ganzflächigen Abtragen eines Materials oder zum Übertragen der Struktur des lithografisch erzeugten Lackmusters in die darunter liegende Schicht. Für diese Aufgabe bieten sich einerseits nasschemische Ätzlösungen an, zum ande
拖网
发表于 2025-3-28 04:47:05
Dotiertechniken,stall werden im Verlauf der Herstellung gezielt unterschiedliche Dotierstoffe eingebracht, die in festgelegten Gebieten der Halbleiteroberfläche zu einer Verstärkung, Abschwächung oder Umkehrung der Substratdotierung führen. Die eingebrachte Dotierung ändert die elektrischen Eigenschaften des Silizi
愚笨
发表于 2025-3-28 08:32:28
Depositionsverfahren,d gleichzeitig eine geringe Konzentration an Verunreinigungen aufweisen. Diese Schichten sollten sich bei möglichst geringer Temperatur auf allen anderen in der Halbleitertechnologie verwendeten Materialen spannungsfrei abscheiden lassen. Die für diese Zwecke entwickelten Depositionsverfahren lassen
stressors
发表于 2025-3-28 11:44:52
http://reply.papertrans.cn/87/8674/867366/867366_40.png