我就不公正 发表于 2025-3-26 21:50:28
http://reply.papertrans.cn/87/8674/867363/867363_31.pngIncise 发表于 2025-3-27 04:07:33
http://reply.papertrans.cn/87/8674/867363/867363_32.pngSTING 发表于 2025-3-27 07:59:16
http://reply.papertrans.cn/87/8674/867363/867363_33.png头脑冷静 发表于 2025-3-27 09:42:45
http://reply.papertrans.cn/87/8674/867363/867363_34.pngHormones 发表于 2025-3-27 15:24:49
http://reply.papertrans.cn/87/8674/867363/867363_35.pngTrigger-Point 发表于 2025-3-27 21:07:54
,Erweiterungen zur Höchstintegration,d LDD-Strukturen zur Reduktion von Kurzkanaleffekten. Die Schaltungsintegration in SOI-Technik einschließlich der Substratherstellung wird vorgestellt. Nanometer-Transistoren und FINFET-Strukturen runden das Kapitel ab.粗糙滥制 发表于 2025-3-28 01:24:42
http://reply.papertrans.cn/87/8674/867363/867363_37.png向下五度才偏 发表于 2025-3-28 06:07:17
Textbook 20197th edition-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierPOLYP 发表于 2025-3-28 06:17:45
http://image.papertrans.cn/s/image/867363.jpghandle 发表于 2025-3-28 13:37:07
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