Factorable
发表于 2025-3-23 13:13:33
Günther Kesel,Jürgen Hammerschmitt,Eckhard Langebutions by international thought-leaders. Departing from a foundation of general concepts of ethics and leadership the book then delves into questions about how philosophy shape emerging economic and business systems, to end with direct lessons from ancient philosophy for contemporary business challenges..978-3-642-43355-9978-3-642-32445-1
ostensible
发表于 2025-3-23 16:52:44
butions by international thought-leaders. Departing from a foundation of general concepts of ethics and leadership the book then delves into questions about how philosophy shape emerging economic and business systems, to end with direct lessons from ancient philosophy for contemporary business challenges..978-3-642-43355-9978-3-642-32445-1
Sciatica
发表于 2025-3-23 18:09:30
http://reply.papertrans.cn/87/8673/867211/867211_13.png
sclera
发表于 2025-3-24 01:34:57
http://reply.papertrans.cn/87/8673/867211/867211_14.png
Coordinate
发表于 2025-3-24 02:45:23
http://reply.papertrans.cn/87/8673/867211/867211_15.png
quiet-sleep
发表于 2025-3-24 09:20:10
,Einführung,Der vorliegende Band 8 der Buchreihe „Halbleiter-Elektronik“ behandelt Halbleiterdioden (PIN-, Schottky- und Zener-Dioden, Speicher- und Sperrschichtvaraktoren) unter dem Aspekt der elektronischen Wechselwirkung mit der Schaltungsumgebung. Die optoelektronische Seite dieses Bauelementetyps wird in den Bänden 10 und 11 dargestellt.
预感
发表于 2025-3-24 13:52:54
Der Speichervaraktor,Der Speichervaraktor ist in seinem Aufbau der kurzen PIN-Diode vergleichbar. Seine Bedeutung besteht in der Erzeugung hoher Ausgangsleistungen durch Frequenzvervielfachung aus dem mit bipolaren Leistungstransistoren noch einfach zugänglichen Frequenzbereich heraus (z.B. werden aus 20 W bei 2 GHz ca. 10 W bei 6 GHz).
一个姐姐
发表于 2025-3-24 17:58:24
Der MIS-Varaktor,Die Grundstruktur des MIS-Varaktors besteht aus einer metallischen Feldelektrode, die auf eine oxidbedeckte Halbleiteroberfläche aufgebracht ist (Bild 5.1). Die Oxidschicht kann auch durch isolierende Fremdschichten, z.B. Titan-Dioxid oder Silizium-Nitrid ersetzt werden.
AGONY
发表于 2025-3-24 19:13:50
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GRIEF
发表于 2025-3-25 02:43:19
Schottky-Diode,er-Flächenkontakten technisch zu demonstrieren, bedurfte es eines weiteren technologischen Fortschrittes: der Planartechnik zur Erzeugung kleinster Flächenstrukturen mit einer oxidgeschützten Peripherie (Band 4). Diese Technik steht seit 1960 zur Verfügung.