interrupt
发表于 2025-3-26 21:45:18
Jiro Kasahara,Naozo Watanabestehen will, muß in allererster Linie in die Hafenstädte gehen., denn in ihnen hat das hellenistische Leben seine farbenfreudigsten Ausprägungen gefundene.. Man vergißt oft, daß die Küsten- und Inselgewässer der Mittelmeerwelt — wenigstens soweit Griechen ihr Gepräge bestimmten —, nicht weniger bele
Landlocked
发表于 2025-3-27 01:49:42
http://reply.papertrans.cn/87/8648/864793/864793_32.png
Suggestions
发表于 2025-3-27 07:52:39
P. N. Favennec,H. L’Haridoniegenden 10 Jahre waren wenig geeignet, Neuerungen zu erproben und sich mit Problemen zu befassen, die sich aus dem Bestreben einer Modernisierung und Rationalisierung des Umschlagsbetriebs ergeben. Während des Krieges bestand hierzu keine Möglichkeit, ja es konnten vielfach nicht einmal die Umschla
Infelicity
发表于 2025-3-27 11:51:37
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平常
发表于 2025-3-27 16:15:40
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抛媚眼
发表于 2025-3-27 17:46:24
Influence of Annealing on the Electrical Properties of Semi-Insulating GaAsrsion is attributed to manganese. Si.N. coated wafers, heat-treated in standard conditions for ion implantation post-annealing, do not show manganese and their electrical behaviour involves the balance of both shallow and deep levels present in the as-grown crystal.
和谐
发表于 2025-3-27 23:14:12
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shrill
发表于 2025-3-28 04:27:17
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拱墙
发表于 2025-3-28 06:48:09
Heat Treatment Behaviour of Cr Implanted in GaAs SI Material. The presence of a deeper structure for both types of heat treatment shows how important is the influence of the defects on the Cr diffusion mechanism. In the case of face to face annealing, the tail of the Cr distribution demonstrates that in-dif fusion takes place.
切割
发表于 2025-3-28 11:56:58
tigating both the electronic properties of deep levels and the chemical nature of the defects from which they arise. This increasing interest has been stimulated by the importance of the subject to device technology, in particular those microwave and opto-electronic devices made from GaAs, InP and t