伤害
发表于 2025-3-21 18:04:10
书目名称Quantum Dot Molecules影响因子(影响力)<br> http://impactfactor.cn/if/?ISSN=BK0781136<br><br> <br><br>书目名称Quantum Dot Molecules影响因子(影响力)学科排名<br> http://impactfactor.cn/ifr/?ISSN=BK0781136<br><br> <br><br>书目名称Quantum Dot Molecules网络公开度<br> http://impactfactor.cn/at/?ISSN=BK0781136<br><br> <br><br>书目名称Quantum Dot Molecules网络公开度学科排名<br> http://impactfactor.cn/atr/?ISSN=BK0781136<br><br> <br><br>书目名称Quantum Dot Molecules被引频次<br> http://impactfactor.cn/tc/?ISSN=BK0781136<br><br> <br><br>书目名称Quantum Dot Molecules被引频次学科排名<br> http://impactfactor.cn/tcr/?ISSN=BK0781136<br><br> <br><br>书目名称Quantum Dot Molecules年度引用<br> http://impactfactor.cn/ii/?ISSN=BK0781136<br><br> <br><br>书目名称Quantum Dot Molecules年度引用学科排名<br> http://impactfactor.cn/iir/?ISSN=BK0781136<br><br> <br><br>书目名称Quantum Dot Molecules读者反馈<br> http://impactfactor.cn/5y/?ISSN=BK0781136<br><br> <br><br>书目名称Quantum Dot Molecules读者反馈学科排名<br> http://impactfactor.cn/5yr/?ISSN=BK0781136<br><br> <br><br>
beta-cells
发表于 2025-3-21 21:04:02
http://reply.papertrans.cn/79/7812/781136/781136_2.png
在驾驶
发表于 2025-3-22 01:10:44
Stefan Schulz,Eoin P. O’Reillyren zur Berechnung der Einflußlinien für die Biegungsmomente von Durchlaufträgern mit elastisch-drehbaren Stützen entwickelt .). Das Verfahren besteht darin, daß für die Ermittlung der Einflußlinien statisch unbestimmte Hauptsysteme gebildet werden, indem in demjenigen Querschnitt des Trägers, für d
挣扎
发表于 2025-3-22 07:27:05
http://reply.papertrans.cn/79/7812/781136/781136_4.png
dry-eye
发表于 2025-3-22 11:15:08
http://reply.papertrans.cn/79/7812/781136/781136_5.png
钻孔
发表于 2025-3-22 16:18:29
http://reply.papertrans.cn/79/7812/781136/781136_6.png
CLEAR
发表于 2025-3-22 19:57:57
http://reply.papertrans.cn/79/7812/781136/781136_7.png
臆断
发表于 2025-3-22 21:50:17
http://reply.papertrans.cn/79/7812/781136/781136_8.png
irreducible
发表于 2025-3-23 04:14:25
http://reply.papertrans.cn/79/7812/781136/781136_9.png
fetter
发表于 2025-3-23 06:15:24
Analysis of Reduced Built-In Polarization Fields and Electronic Structure of InGaN/GaN Quantum Dot onic devices. However, the emission efficiency of .-plane InGaN/GaN quantum wells (QWs) drops significantly when going to longer wavelengths due to the strong electrostatic built-in fields in such heterostructures. We present a surface integral method to show and explain why the polarization potenti