BADGE
发表于 2025-3-30 10:47:01
http://reply.papertrans.cn/59/5877/587635/587635_51.png
范例
发表于 2025-3-30 14:55:16
Robert Homegt werden, daß — bei sonst gleichen Parametern — durch Verwendung eines zur Waferoberfläche parallelen und 13 mT starken Magnetfeldes die Ätzrate von Si um den Faktor 7 und für Si.N. immerhin um den Faktor 2,5 erhöht werden konnte bei gleichzeitigem Rückgang des DC-Bias um einen Faktor 6 (Si) bzw. 5
多产子
发表于 2025-3-30 17:19:36
http://reply.papertrans.cn/59/5877/587635/587635_53.png