MITE
发表于 2025-3-23 12:13:48
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abstemious
发表于 2025-3-23 15:57:04
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火光在摇曳
发表于 2025-3-23 21:23:21
Einleitung,re Stellung als Bindeglied zwischen elektrischer Energietechnik (Starkstromtechnik) und elektrischer Nachrichten- bzw. Informationstechnik hin. So ist auch jede leistungselektronische Schaltung einteilbar in einen Leistungsteil und einen Informationsbzw. Steuerungsteil.
Foreknowledge
发表于 2025-3-23 23:33:03
Bauelemente der Leistungselektronik,htung bei relativ kleinen Leistungen beschränkt waren. Ab ca. 1955 stand zum ersten Mal mit dem Thyristor (damals noch unter verschiedenen anderen Bezeichnungen , ) eine Alternative zum steuerbaren Quecksilberdampfgleichrichter zur Verfügung. Der Übergang zu den neuen Elementen hat sich
大骂
发表于 2025-3-24 05:46:28
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interpose
发表于 2025-3-24 09:04:12
,Steuerung und Betrieb leistungselektronischer Schaltungen (Steuerungskreise, Schaltungen für AntrieVorgabe der Zündimpulse für Haupt- und Löschthyristoren. Dazu dienen die Steuerungskreise der Leistungselektronik, wo naturgemäß mehr auf Signalverarbeitung∗ Wert gelegt wird als auf Leistungsumwandlung mit großem Wirkungsgrad.
停止偿付
发表于 2025-3-24 12:32:07
Netz- und Lastverhalten leistungselektronischer Schaltungen, die im speisenden Netz bzw. an der Last (dort nur Oberschwingungen) durch die leistungselektronischen Schaltungen hervorgerufen werden, hingewiesen. Dieses Thema wird nun in vorliegendem Kapitel zusammenfassend behandelt. Zu dem Problemkreis des Zusammenwirkens von Leistungselektronik und speisende
收到
发表于 2025-3-24 18:19:32
,Anwendungen und spezielle Probleme der Leistungselektronik (Ergänzungen und Überblick),Dies geschah vor allem für Gleich- und Wechselstromantriebe, Schwingkreiswechselrichter für induktives Erwärmen und Schmelzen und anderes mehr. Weitere Probleme der Leistungselektronik wurden speziell in den Kapiteln 6 und 7 erörtert.
愤慨点吧
发表于 2025-3-24 21:23:00
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innate
发表于 2025-3-25 00:34:24
Neuere aktive Bauelemente, Ansteuerungen und Beschaltungen,. 1985 entwickelt wurde, verstanden warden*. Im vorliegenden Kapitel sollen nun neue Bauelemente, die auch bei größeren Leistungen (als seinerzeit bei Transistoren üblich) über das Gate abschaltbar sind, im Detail vorgestellt werden. Dazu kommen weiters neue Technologien (wie Siliziumkarbid bei Diod