毁坏
发表于 2025-3-25 06:38:40
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野蛮
发表于 2025-3-25 10:24:27
William Bradford Shockley (geb. 1910),ere bei der Erfindung und Weiterentwicklung des Transistors, in eindrucksvoller Weise zum Ausdruck. Immer ging es . darum, Wesentliches für den Erkenntnisfortschritt zu leisten. Die Erfindung des Transistors, die Untersuchung und Beschreibung seiner grundlegenden elektronischen Eigenschaften, ihre t
严厉谴责
发表于 2025-3-25 14:06:54
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Gobble
发表于 2025-3-25 19:48:47
Adolf Martens (1850 bis 1914),ben . (München) und . (Stuttgart) zu den Pionieren, die mit ihren Arbeiten wesentlich zur Institutionalisierung dieser neuen technikwissenschaftlichen Disziplin beigetragen haben und deren Ergebnisse in enger Zusammenarbeit mit der Industrie praktisch wirksam werden ließen.
LAVA
发表于 2025-3-25 23:09:38
August Hermann Seger (1839 bis 1893),n erwies sich die wissenschaftliche Behandlung der Baustoff- und Silikatproduktion als erfolgreicher Weg, die Nachteile, die der neuartigen Technologie anhafteten, rasch zu beseitigen. . beschritt diesen Weg als einer der ersten und wurde damit zum Mitbegründer der Wissenschaftsdisziplin Silikattechnik.
Nutrient
发表于 2025-3-26 01:48:30
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puzzle
发表于 2025-3-26 06:10:32
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Endearing
发表于 2025-3-26 08:28:23
Claude Louis Marie Henri Navier (1785 bis 1836),lehrsamkeit seines Erbauers verhalte /2, S. 2/. Im Gegensatz zu nicht wenigen seiner Zeitgenossen wollte er allerdings keine Vorbehalte gegenüber der Einbeziehung wissenschaftlicher Erkenntnisse in die Tätigkeit der Techniker geltend machen, sondern auf die noch engen Grenzen dieser Bemühungen hinweisen.
口音在加重
发表于 2025-3-26 15:15:17
Carl Ernst Hartig (1836 bis 1900), mechanisch-technologischen und Maschinen-Laboratorien ihren institutionellen Ausdruck. Zu den Pionieren der mechanisch-technologischen Experimentiertechnik gehörte in Deutschland der Dresdner Technologe und erste Wahlrektor der Technischen Hochschule Dresden, Professor ..
乞讨
发表于 2025-3-26 16:59:43
William Bradford Shockley (geb. 1910),tnisfortschritt zu leisten. Die Erfindung des Transistors, die Untersuchung und Beschreibung seiner grundlegenden elektronischen Eigenschaften, ihre theoretische Erklärung bei Zugrundelegen elektrophysikalischer Modellvorstellungen und die Erschließung seiner Anwendungsmöglichkeiten sind aufs engste mit seinem Namen verknüpft.