字里行间 发表于 2025-3-21 18:54:33

书目名称Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente影响因子(影响力)<br>        http://impactfactor.cn/if/?ISSN=BK0545682<br><br>        <br><br>书目名称Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente影响因子(影响力)学科排名<br>        http://impactfactor.cn/ifr/?ISSN=BK0545682<br><br>        <br><br>书目名称Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente网络公开度<br>        http://impactfactor.cn/at/?ISSN=BK0545682<br><br>        <br><br>书目名称Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente网络公开度学科排名<br>        http://impactfactor.cn/atr/?ISSN=BK0545682<br><br>        <br><br>书目名称Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente被引频次<br>        http://impactfactor.cn/tc/?ISSN=BK0545682<br><br>        <br><br>书目名称Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente被引频次学科排名<br>        http://impactfactor.cn/tcr/?ISSN=BK0545682<br><br>        <br><br>书目名称Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente年度引用<br>        http://impactfactor.cn/ii/?ISSN=BK0545682<br><br>        <br><br>书目名称Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente年度引用学科排名<br>        http://impactfactor.cn/iir/?ISSN=BK0545682<br><br>        <br><br>书目名称Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente读者反馈<br>        http://impactfactor.cn/5y/?ISSN=BK0545682<br><br>        <br><br>书目名称Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente读者反馈学科排名<br>        http://impactfactor.cn/5yr/?ISSN=BK0545682<br><br>        <br><br>

核心 发表于 2025-3-21 20:47:24

Auf vertikalen bzw. quasivertikalen Transistoren basierende Speicher,

迅速飞过 发表于 2025-3-22 03:01:44

http://reply.papertrans.cn/55/5457/545682/545682_3.png

dainty 发表于 2025-3-22 04:56:40

0172-5882 rläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden...Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschäftigen..978-3-540-27547-3Series ISSN 0172-5882

事情 发表于 2025-3-22 11:12:23

0172-5882der Originalbeiträge.Includes supplementary material: .Das Buch beschreibt die Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente für Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor untersucht die Quellen, die in den vergangenen 30 Jahren

Guaff豪情痛饮 发表于 2025-3-22 12:53:55

http://reply.papertrans.cn/55/5457/545682/545682_6.png

neutralize 发表于 2025-3-22 17:34:00

http://reply.papertrans.cn/55/5457/545682/545682_7.png

Oration 发表于 2025-3-22 22:21:41

http://reply.papertrans.cn/55/5457/545682/545682_8.png

Acumen 发表于 2025-3-23 05:00:03

Jörg SchulzeVollständige Zusammenfassung aller Vertikal- bzw. Quasivertikalkonzepte der MOS-Bauelemente.Umfangreiche, thematisch geordnete Bibliographie der Originalbeiträge.Includes supplementary material:

文件夹 发表于 2025-3-23 08:02:50

http://reply.papertrans.cn/55/5457/545682/545682_10.png
页: [1] 2 3 4
查看完整版本: Titlebook: Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente; Jörg Schulze Book 2005 Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2005 Bauelement.CMOS.Einzelelektronen