损坏
发表于 2025-3-23 11:36:40
Thyristoren,ahngebiete werden üblicherweise mit p. (Anode), n. (Basis), p. (Gate) und n. (Kathode) bezeichnet, die pn-Übergänge mit J., J. und J.. Das Schaltzeichen des Thyristors ähnelt dem der Diode (vgl. Abb. 7.1), im Unterschied dazu ist zusätzlich zu Anode (A) und Kathode (K) jedoch ein dritter Anschluß vorhanden, das sog. Gate (G).
visual-cortex
发表于 2025-3-23 15:50:17
Michael ReischKompaktes Lehrbuch für Vorlesung und Selbststudium.Didaktisch ausgefeiltes Konzept mit durchgehender Beschreibungssprache PSpice.Praktische Lern- und Arbeitshilfen im Web.Includes supplementary materi
领带
发表于 2025-3-23 21:07:57
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BADGE
发表于 2025-3-23 23:12:10
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exostosis
发表于 2025-3-24 03:39:07
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scrutiny
发表于 2025-3-24 07:39:41
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Herpetologist
发表于 2025-3-24 11:17:01
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Multiple
发表于 2025-3-24 17:25:41
Bipolartransistoren,Der Bipolartransistor (BJT). wurde 1947 in den Bell Laboratorien erfunden. Diese Erfindung leitete eine Revolution in der Elektronik ein und hat mit der etwa ein Jahrzehnt später entwickelten Planartechnologie das Tor zu dem sich rasch weiterentwickelnden Gebiet der integrierten Schaltungen. aufgestoßen.
Flat-Feet
发表于 2025-3-24 22:38:21
Feldeffekttransistoren,Feldeffekttransistoren (FETs) sind aktive Bauelemente, bei denen der Stromfluß durch einen leitenden Kanal mit Hilfe einer Steuerelektrode moduliert werden kann. Der prinzipielle Aufbau eines FET ist in Abb. 5.1 dargestellt: Der zwischen den Anschlüssen . (.) und .. (.) fließende Strom wird durch das sog. . (.) gesteuert.
鞭打
发表于 2025-3-24 23:14:09
0937-7433 ngsaufgaben unterstützt. Für die zweite Auflage stehen im Internet Musterlösungen und Datenblätter ausgewählter Bauelemente zum Download bereit. .978-3-540-73199-3978-3-540-73200-6Series ISSN 0937-7433 Series E-ISSN 2512-5214