Hermit 发表于 2025-3-21 20:07:04

书目名称Grundlagen der Mikroelektronik 1影响因子(影响力)<br>        http://impactfactor.cn/if/?ISSN=BK0389831<br><br>        <br><br>书目名称Grundlagen der Mikroelektronik 1影响因子(影响力)学科排名<br>        http://impactfactor.cn/ifr/?ISSN=BK0389831<br><br>        <br><br>书目名称Grundlagen der Mikroelektronik 1网络公开度<br>        http://impactfactor.cn/at/?ISSN=BK0389831<br><br>        <br><br>书目名称Grundlagen der Mikroelektronik 1网络公开度学科排名<br>        http://impactfactor.cn/atr/?ISSN=BK0389831<br><br>        <br><br>书目名称Grundlagen der Mikroelektronik 1被引频次<br>        http://impactfactor.cn/tc/?ISSN=BK0389831<br><br>        <br><br>书目名称Grundlagen der Mikroelektronik 1被引频次学科排名<br>        http://impactfactor.cn/tcr/?ISSN=BK0389831<br><br>        <br><br>书目名称Grundlagen der Mikroelektronik 1年度引用<br>        http://impactfactor.cn/ii/?ISSN=BK0389831<br><br>        <br><br>书目名称Grundlagen der Mikroelektronik 1年度引用学科排名<br>        http://impactfactor.cn/iir/?ISSN=BK0389831<br><br>        <br><br>书目名称Grundlagen der Mikroelektronik 1读者反馈<br>        http://impactfactor.cn/5y/?ISSN=BK0389831<br><br>        <br><br>书目名称Grundlagen der Mikroelektronik 1读者反馈学科排名<br>        http://impactfactor.cn/5yr/?ISSN=BK0389831<br><br>        <br><br>

Robust 发表于 2025-3-21 22:23:52

Kollegiale Begleitung in der Praxis,ndnis der Funktionsweise der später eingeführten Bauelemente ist es daher notwendig, sich zuerst die halbleiterphysikalischen Grundlagen anzueignen. Dabei spielen insbesondere Konzepte wie . und . . und . . . . und . eine wesentliche Rolle.

圆柱 发表于 2025-3-22 03:51:07

Problemstellung und Zielsetzung,Halbleiterschichten. Nach einer Vorstellung der . eines Bipolartransistors werden der . die möglichen . und die . erläutert. Durch die . des nichtlinearen Verhaltens in jedem Betriebsbereich wird die . von Schaltungen mit Bipolartransistoren ermöglicht. Das allgemeine Vorgehen bei der . wird präsentiert und in mehreren Beispielen angewendet.

MORT 发表于 2025-3-22 05:48:30

https://doi.org/10.1007/978-3-663-05824-3en. Nach einer Vorstellung der . eines Feldeffekttransistors werden der . die möglichen . und die . erläutert. Durch die . des nichtlinearen Verhaltens in jedem Betriebsbereich wird die . von Schaltungen mit Feldeffekttransistoren ermöglicht. Das allgemeine Vorgehen bei der . wird präsentiert und in mehreren Beispielen angewendet.

圆柱 发表于 2025-3-22 11:15:03

http://reply.papertrans.cn/39/3899/389831/389831_5.png

愤怒历史 发表于 2025-3-22 13:04:08

http://reply.papertrans.cn/39/3899/389831/389831_6.png

愤怒历史 发表于 2025-3-22 19:09:06

http://reply.papertrans.cn/39/3899/389831/389831_7.png

漂浮 发表于 2025-3-22 23:00:28

http://reply.papertrans.cn/39/3899/389831/389831_8.png

Eulogy 发表于 2025-3-23 04:26:37

http://reply.papertrans.cn/39/3899/389831/389831_9.png

我不死扛 发表于 2025-3-23 07:34:45

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