Neuralgia
发表于 2025-3-27 00:25:27
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勉强
发表于 2025-3-27 02:31:44
,Der pn-Übergang und seine Freunde,d, am allerschlimmsten, keine Mobiltelefone, keine Computer, keine freizeitorientierten Internetseiten und auch kein Counter-Strike und sonstige Ballerspiele (Hausaufgabe: Mailen Sie mir bitte, welches Computerspiel gerade besonders in ist, damit ich mein Buch up to date halten kann). Sich als Elekt
buoyant
发表于 2025-3-27 06:01:57
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著名
发表于 2025-3-27 11:24:17
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苦涩
发表于 2025-3-27 16:47:08
Diffusion & Co.,estens . urheberrechtlich geschützte Bilder dazu finden sich überall im Internet. Diffusion ist wirklich sehr praktisch, denn dadurch muss man seine Suppe nicht unbedingt umrühren, nachdem man sie gesalzen hat, Hustensaft umrühren muss man auch nicht, wie man in Abb. 10.1 sieht, und auch Chilipulver
清醒
发表于 2025-3-27 20:25:50
MOS Strukturen,erten Schaltung in großen Mengen vorkommt. Der MOSFET lebt von den Eigenschaften einer dünnen Elektronenschicht unter einer Gate-Elektrode, die gerne als zweidimensionales Elektronengas bezeichnet wird.
refraction
发表于 2025-3-27 23:18:35
Heterostrukturen,lar Beam Epitaxy, MBE) oder der metallorganischen Gasphasenepitaxie (Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) ist es möglich, verschiedene Halbleitermaterialien in einkristalliner Form übereinander aufzuwachsen. Voraussetzung dafür ist es, dass die Materialien tunlichst eine ähnliche Gitterko
Phenothiazines
发表于 2025-3-28 02:52:47
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FLIT
发表于 2025-3-28 06:59:01
https://doi.org/10.1007/978-3-662-09600-0In unseren bisherigen Betrachtungen waren die Elektronen ziemlich einsam und gelangweilt unterwegs. Es gab entweder nur ein einsames Elektron im Kristall, oder wenn es mehrere gab, wollten die nichts miteinander zu tun haben, und mit ihrer Umwelt schon mal gar nichts. In der Realität ist das natürlich nicht so.
Sleep-Paralysis
发表于 2025-3-28 13:30:28
John G. Gunderson,Alexander CarrollDer Halbleiterhorror nähert sich dem Höhepunkt, und das ist die Boltzmann-Transportgleichung. Warum müssen wir uns das antun? Die Antwort ist einfach, schuld ist das Institut für Mikroelektronik. Dort kümmert man sich um die Simulation der Kennlinien von Halbleiterbauelementen, und dort geht ohne Boltzmann-Gleichung rein gar nichts.