exorbitant 发表于 2025-3-26 23:52:08
https://doi.org/10.1007/978-3-030-96925-7ter kommen für Leistungen bis ca. 1 kW im Allgemeinen MOSFET-Leistungstransistoren zum Einsatz. MOSFETs ermöglichen Schaltfrequenzen ≫100 kHz. Die komplette Baueinheit eines schaltenden Spannungswandlers wird als . bezeichnet. Nachfolgend werden die verschiedenen Prinzipien der Wandlerschaltungen vorgestellt.BLUSH 发表于 2025-3-27 02:02:44
Was ist Leistungselektronik ?,ten. Der Energiefluss kann sich auch umkehren, so dass im Bremsbetrieb Energie zurückgewonnen werden kann. Hierdurch steigt der Wirkungsgrad an und der Verschleiß mechanischer Bremsen wird verringert. Bei Ausfall des Energieversorgungsnetzes können die Verbraucher mit Hilfe leistungselektronischer Einrichtungen aus einer Batterie versorgt werden.我就不公正 发表于 2025-3-27 06:27:18
Grundlagen,luten Nullpunkt (0 K) ein Isolator. Das Verhalten von Si- bzw. Ge-Halbleitern wird mit dem Ziel beschrieben, das Verständnis für den Leitungsmechanismus von Halbleiter-Bauelementen zu fördern und deren Kennlinien und Einsatzbedingungen zu verstehen.发微光 发表于 2025-3-27 09:56:05
,Steuerverfahren für UWR,st durch Filterung dieser gepulsten Spannung z. B. durch ein Filter oder die Impedanz einer angeschlossenen Asynchronmaschine (ASM) – und den daraus resultierenden Stromverlauf ist der Vorteil einer Pulsung ersichtlich.厌恶 发表于 2025-3-27 16:43:59
http://reply.papertrans.cn/39/3894/389400/389400_35.pngMedicare 发表于 2025-3-27 18:49:03
http://reply.papertrans.cn/39/3894/389400/389400_36.pngDerogate 发表于 2025-3-28 00:44:39
http://reply.papertrans.cn/39/3894/389400/389400_37.png火海 发表于 2025-3-28 03:12:15
Dioden,er Breite der RLZ – und damit von der Höhe der Sperrspannung – abhängig. Das elektrische Verhalten einer idealen Diode wird zusammen mit dem Verhalten einer realen Diode in Abb. 3-1 für eine konstante Sperrschichttemperatur dargestellt. Für eine mathematische Beschreibung einer Diode mit einem idealen pn-Übergang gilt die . Gl. (3-1).STING 发表于 2025-3-28 07:05:29
Medication Errors in HealthcareDie Verlustleistung (.) von Halbleiterbauelementen entsteht im Wesentlichen im Bereich der pn-Übergänge.玩笑 发表于 2025-3-28 10:35:03
http://reply.papertrans.cn/39/3894/389400/389400_40.png