Morose
发表于 2025-3-28 17:36:08
https://doi.org/10.1007/978-1-4842-0343-9t dem gemeinsamen Punkt B’ im Inneren der Basiszone, der über den „Basisbahnwiderstand“ R., (Größenordnung einige Ohm) zum Anschluß B Verbindung hat. Dieses Bild mit getrennten Dioden erklärt schematisch den Transistoraufbau, nicht aber seine Funktion.
cunning
发表于 2025-3-28 20:04:04
http://reply.papertrans.cn/31/3076/307516/307516_42.png
placebo-effect
发表于 2025-3-29 02:54:55
http://reply.papertrans.cn/31/3076/307516/307516_43.png
Chandelier
发表于 2025-3-29 04:39:00
Data Analysis in Earth Sciences,ei Si-Transistoren auf 150 ... 200 °C. Im stationären Zustand gilt für die „totale“ Verlustleistung eines Bipolartransistors: ... für die Temperatur der besonders beanspruchten Kollektor-Basis-Sperrschicht. R. ist der gesamte Wärmewiderstand zwischen der Sperrschicht und der Umgebung, T. ist die Umgebungstemperatur.
即席演说
发表于 2025-3-29 09:27:30
http://reply.papertrans.cn/31/3076/307516/307516_45.png
变化无常
发表于 2025-3-29 11:23:35
http://reply.papertrans.cn/31/3076/307516/307516_46.png
让空气进入
发表于 2025-3-29 15:46:43
http://reply.papertrans.cn/31/3076/307516/307516_47.png
Enteropathic
发表于 2025-3-29 23:09:26
https://doi.org/10.1007/978-1-4842-0295-1 aufteilt. Die in den Wicklungen induzierten Spannungen u. und u. ergeben sich aus der Selbstinduktion (Faktor L), überlagert mit einem Anteil der Fremdinduktion (Faktor M) aufgrund der zweiten Spule. Bei Widerstandsfreiheit gilt mit i. = i. = i für die Klemmenspannung u: . als resultierende Induktivität.
Acquired
发表于 2025-3-30 00:02:41
Application of Simulink in Power Systems,. Die letztere wird gebildet durch den gemeinsamen Schaltungspunkt einer positiven und negativen Betriebsspannungsquelle. Die einzelnen Verstärkerstufen sind galvanisch gekoppelt, so daß auch Gleichspannungen verstärkt werden können (Gleichspannungsverstärker).
MODE
发表于 2025-3-30 05:41:12
http://reply.papertrans.cn/31/3076/307516/307516_50.png