PATHY
发表于 2025-3-25 06:34:25
978-3-663-01997-8Springer Fachmedien Wiesbaden 1981
热情的我
发表于 2025-3-25 07:45:43
http://reply.papertrans.cn/31/3074/307332/307332_22.png
garrulous
发表于 2025-3-25 14:17:17
,Einführung,erbehafteten manuellen Verdrahtungen durch solche flächenhaften Leiterstrukturen auf geeigneten lsolierstoffträgern zu ersetzen, die in wirtschaftlicher Serienfertigung zu identischen elektrischen Eigenschaften führen. Ein darüber hinausgehendes Bemühen zielte darauf ab, nicht nur die Verdrahtung, s
祖传
发表于 2025-3-25 17:46:00
Werkstoffe, Basismaterialien, Substrate,rials bestehen, das mit duroplastischen oder thermoplastischen Kunststoffen imprägniert ist. Als Verstärkungsmaterialien sind Papier, Baumwolle, Glasgewebe und Glasvliese in der Anwendung. Durch die Verstärkungsmaterialien, die auch alsTrägerwerkstoffe für die Kunststoffimprägnate bezeichnet werden,
预感
发表于 2025-3-25 20:17:47
Verfahrenstechnologische Grundlagen,Wissenschaftsdiziplinen berühren. Der Kern der Verfahren läßt sich mit dem heute gebräuchlichen Begriff Technologie, als jenem interdisziplinären Verfahrensbereich der Ingenieur- und Naturwissenschaften, beschreiben. Das Wissen um die Verfahrensschritte ist, wenn auch nur exemplarisch, unabdingbare
Excise
发表于 2025-3-26 00:14:53
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beta-cells
发表于 2025-3-26 08:23:27
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Foment
发表于 2025-3-26 08:43:14
http://reply.papertrans.cn/31/3074/307332/307332_28.png
aplomb
发表于 2025-3-26 16:12:39
https://doi.org/10.1007/978-3-662-25409-7estehen, für den in erster Näherung immer angesetzt wird, daß er aus dem ideal leitenden Werkstoff Kupfer besteht. Diese Annahme impliziert jedoch, daß die Gestaltung der Anschlußflächen nicht unproblematisch ist, und daß für eine Leiterstruktur, die den Schichtwiderstand integrativ enthält, auch di
无节奏
发表于 2025-3-26 18:30:21
Gedruckte Bauelemente,estehen, für den in erster Näherung immer angesetzt wird, daß er aus dem ideal leitenden Werkstoff Kupfer besteht. Diese Annahme impliziert jedoch, daß die Gestaltung der Anschlußflächen nicht unproblematisch ist, und daß für eine Leiterstruktur, die den Schichtwiderstand integrativ enthält, auch di