爱花花儿愤怒
发表于 2025-3-26 22:24:12
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神化怪物
发表于 2025-3-27 01:40:31
,Prüfen statistischer Hypothesen,erhersteller für die physikalische Realisierung des Schaltkreises benütigt. Der ASIC-Entwurfsprozeß ist rechnergestützt und gliedert sich in vier Schritte: . (...), . und .. In diesem Kapitel werden die Methoden bei einer ASIC-Entwicklung vorgestellt, die auf Hierarchien und der Komplementarität von
CAB
发表于 2025-3-27 06:23:26
Diskrete und stetige Standardverteilungen,bgeleitete Modelle nötig, die das elektrische Verhalten der einzelnen Bauelemente im Schaltkreis beschreiben. Abschnitt 4.1 stellt dazu die Stromgleichungen von MOS-Transistoren in einfachster Form (C.-S.-Modell, ) vor. Das C.-S.-Modell vernachlässigt die sog. Kurzkanaleffekte und gilt nur für Ba
有抱负者
发表于 2025-3-27 10:39:33
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QUAIL
发表于 2025-3-27 14:32:35
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不可思议
发表于 2025-3-27 20:07:18
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embolus
发表于 2025-3-27 22:26:48
,Prüfen statistischer Hypothesen,t, mit dem viele Aspekte des IC-Entwurfs illustriert werden können, ist ein kleiner, statischer Halbleiterspeicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff (., SRAM). In diesem Kapitel wird ein 1024-bit-SRAM spezifiziert. Größere Speicherkapazitäten sind nicht sinnvoll, denn sie führen automatisch zu größeren
Veneer
发表于 2025-3-28 02:58:56
,Prüfen statistischer Hypothesen,Die Masken werden aus dem IC-Layout erzeugt, das die gesamte geometrische Information für alle Strukturen des ICs in hierarchischer Form enthält. In bezug auf den SRAM-Entwurf bedeutet dies, daß Layoutstrukturen für alle Funktionsblöcke benötigt werden, die dann zum Gesamtlayout zusammengesetzt werd
枯萎将要
发表于 2025-3-28 08:10:11
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aesthetic
发表于 2025-3-28 11:18:36
https://doi.org/10.1007/3-540-32142-Xung und Möglichkeiten der Programme, während die Modellbildung sowie die numerischen Methoden zur Schaltungssimulation bereits in Kap. 5 behandelt wurden. Die beiden Programme Q. und A. sind im F. F. des M.-G.-V8-Entwurfssystems eingebunden und verwenden weitgehend ähnliche Fenstertechniken und Meth